晶体三极管开关特性教学提纲.pptVIP

晶体三极管开关特性;硅二极管的伏安特性如图所示：;锗二极管的伏安特性如图所示：;VD;2.二极管反向恢复时间：;实际情况，二极管反偏时：; PN结正偏时，在外电压作用下，PN结两端多数载流子不断向对方扩散，P区的空穴扩散到N区，N区的电子扩散到P区。P区存有大量电子，N区存有大量空穴。;P区;①、限幅原理：; 二极管和输出端串联。;;特点：二极管和输出端并联;串联双向限幅器;下面主要讨论寄生电容对二极管限幅器的影响。;串连限幅器寄生电容的影响;并连限幅器寄生电容的影响; 当：输??电压VO下降到低于零时，二级管立即导通，且将输出电压限制在0V。;串连限幅具有陡峭的上升沿。;二极管开关的通断是受两端电压极性控制。;饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;饱和区;三极管工作在饱和区。;三极管饱和特点：; 三极管工作在截止区，IB=0曲线以下。;三极管PN结四种偏置方式组合; 根据VCC和RC值，在输出特性曲线上画一条负载线。;首先求出基极电流;;RC;用基区电荷分布图说明; IB≥IBS 时，发射结发射有余，集电极收集不足。过剩电子在基区积累，如 4→5。这段时间就是存储时间 t s