用于晶体硅太阳电池生产的PECVD技术进展[汇编].pdfVIP

资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。 用于晶体硅太阳电池生产的 PECVD 技术进展 一 引言 为了降低晶体硅太阳电池的效率 , 一般需要减少太阳电池正表面的反射 , 还需要对晶 体硅表面进行钝化处理 , 以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。 硅的折射率为 3.8, 如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为 1.0 的空气中 , 其对光的 反射率可达到 30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射 , 可是还是很难将反射 率降得很低 , 特别是对多晶硅 , 使用各向同性的酸腐蚀液 , 如果腐蚀过深 , 会影响到 PN 结 的漏电流 , 因此其对表面反射降低的效果不明显。 因此 , 考虑在硅表面与空气之间插一层折 射率适中的透光介质膜 , 以降低表面的反射 , 在工业化应用中 , SiNx 膜被选择作为硅表面 的减反