华侨大学微电子器件与电路实验实验报告IC2019实验7.docVIP

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  • 2020-08-25 发布于天津
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华侨大学微电子器件与电路实验实验报告IC2019实验7.doc

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2019LAB7 实验报告微电子器件与电路实验(华侨大学电子工程系集成 ) 实验报告)微电子器件与电路实验(集成 2019.06 实验时间 学号 姓名 报告成绩 实验成绩操作成绩 寄生电容参数提取 集成MOSFET实验七 实验名称Centos 操作系统:(1)计算机 (2) 实验设备TSMC RF0.18um 工艺模型(3)软件平台:Cadence Virtuoso (4) 特性曲线特点1.掌握MOSFET CV 和沟道宽度之间的关系MOSFET栅漏交叠电容CGD2.掌握饱和区 实验目的 电容和

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