原创力文档- 38
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- 2020-08-25 发布于天津
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实验报集微电子器件与电路实学实验时姓实验报告实验操作教师签字实验三集成特性分析实验名称计算机操作系统实验设备软件平台工艺模型掌握集成和在强反型中反型弱反型以及线性区的特性实验目的对比长沟道器件和短沟道器件的沟道长度调制效应对特性的影响强反型条件下电流随温度漂移特性实验要求实验前按要求阅读器件说明文档阅读实验操作文档熟悉实验过程及操作步骤实验过程中按实验报告要求操作仿真记录数据波形实验结果经指导老师检查验收经允许后方可关机离开实验室实验后按要求处理数据和波形回答问题实验报告打印后于下次实验时间缴交
实验报集微电子器件与电路实
学实验时姓2019.5
实验报告 实验操作 教师签字
实验三 集成MOSFET IV特性分析 实验名称(1)计算机 (2)操作系统：Centos
实验设备(3)软件平台：Cadence Virtuoso (4)工艺模型TSMC RF0.18um
1.掌握集成NMOS和PMOS在强反型、中反型、弱反型以及线性区的IV特性
实验目的2.对比长沟道器件和短沟道器件的沟道长度调制效应对IV特性的影响
3.强反型条件下，MOSFET电流随温度漂移特性
实 验 要 求
1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验
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