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白皮书 11-2018 CoolGaN™的可靠性和鉴定 技术和器件 摘要 英飞凌的CoolGaNTM 硅基氮化镓(GaN-on-Si) HEMT （高电子迁移率晶体管）的系统性能出色，效率和功 率密度更高，系统成本更低，大大改善了功率转换开关器件品质因数(FOM)。 为了保证可靠的运行、满足电力转换系统中的设计寿命和质量要求，遵循全面的技术开发和产品鉴定程序 至关重要，也是新技术必须做到的一点。GaN 器件的材料和设计与硅基器件相比差异很大，足以驱使我们 分析它们的应用方式，并确定相关开发和可靠性鉴定过程所必须有的变化。 本文介绍了英飞凌用于成功鉴定CoolGaNTM 600V 技术和产品的四部分流程。内文介绍了关键故障机制， 并说明如何在各种应用中确保安全可靠的运行。 因此，客户得以避开许多原本会遇到的风险，并能学习安全地使用CoolGaNTM 技术。有意加深一般半导 体可靠性概念的工程师，也可以本文做参考资料。 作者 Tim McDonald ，英飞凌科技股份公司CoolGaN™开发项目高级咨询顾问 /gan 请阅读本文档末尾的重要通知和警告 v1.0 CoolGaN™的可靠性和鉴定 技术和器件 目录 1 背景 ：为什么不能将硅鉴定工艺用于 GaN 技术 ？ 3 1.1 50 年硅足迹 3 1.2 硅故障机制 3 1.3 硅鉴定标准 3 1.4 GaN 器件需要新的鉴定概念 4 2 鉴定 GaN 器件的四部分推荐方法 6 2.1 应用概况 6 2.2 质量要求概要 9 2.3 开发期间的可靠性调查 9 2.4 退化模型 10 2.4.1 可靠性浴盆曲线 11 2.4.2 Weibull 函数和绘图 11 2.4.3 磨损模型实例 12 3 GaN 器件的主要故障机制和退化模型 （不同于硅） 13 3.1 直流偏置故障模式 13 3.2 直流偏置退化模型：电压和温度矩阵的Weibull 图 15 3.2.1 GaN 器件的雪崩能力是多少？与硅相比如何？ 16 3.3 切换SOA 故障模式和模型