大尺寸碳化硅SiC 晶体材料项目.pptVIP

大尺寸碳化硅SC晶体材料项目 项目概况 国内外研究现状和生产工艺路线比较 国外研究现状 国内研究现状 生产工艺路线比较 产业现状 市场分析 国家863计划对该项目的支持情况 项目知识产权情况 项目发展目标和规划 所需资金分析,对被引进投资者之要求,投资回报率 合作方式 Proprietary Confidential 项目概况 S-元素半导体-第一代半导体材料 GaAs、GaP、IP-I族半导体-第二代半导体材料 SiC、GaN、CBN-宽带隙半导体(wBs)-第三代半导体材料 点 禁带宽度大、高临界电场、高热导率、高电子迁移速度 高机械强度、化学性能稳定、抗辐射能力强、热稳定性好 应用 大容量低损耗功率器件、高频高速器件、特殊环境(高温 高压、高辐射、耐腐蚀)下使用的功率器件、光微电子器件 军事及核能、航空和航天、雷达和通讯、电力及石化 精密制造及汽车工业、数据存储及照明技术、医疗及宝石业 Proprietary Confidential 半导体材料性能参数一览表 6H-SiC 4H-Sic 3C-SiC s GaAs 禁带宽度(Eg 3.02eV 326240 1.43 击穿电场(E) 2. 40MV/cm 0.4 热导率(成) 4.9W/cm. K 4.5 4.9 0.5 饱和速度(Va)2.5×107cm 2.5 1.0 电子迁移率(p)370°cmNs/700 1000空穴迁移率( 40cm2/vs 115 471 330 载流子浓度(n)16×10°/cm35×1091.6×1061×10101.8×105 介电常数(e) 72 9.70 9.66 11.7 12.8 德拜温度(K) 1240C 1200 873 300 460 Proprietary Confidential 国内外研究现状和生产工艺路线比较 国外研究现状 美国“国防与科学计划”-WBS发展目标 军方资助 Cree Research inc.等进行SC单晶片、大尺寸器件 外延片的研制及开发 相关企业及研究机构 Cree, Sterling, II-VI Inc, ATMI, GE, Carnegie Mellon Univ, North Carolina State Univ, Case Western Reserve Univ, Cornell Univ. Purdue univ Air Force, Northrop grumman etc. 日本“硬电子国家计划”(5年) 研发高能、高速、高频微电子器件,用于空间、原子能、 信息存储、通讯 相关企业及研究机构 Nippon Steel京都大学、电子技术综合研究所等 Proprietary Confidential 欧洲 俄罗斯: Tairovs Lab., FTIKKS it SiCrystal, Erlanger Univ, Inst. f/ r Kristallz chung 瑞/典: Epigress,Okmetic AB, Link pir 法国、芬 发展水平 Cree1988年解决SC晶体关键生长技术 1989年O1”6H-SiC晶片市场化,第一个商业用SiC蓝光LED 2019年02”6H-SiC晶片市场化 核心技术:SiC单晶体生长、晶片加工、GaN外延片、芯片至器件 产品:紫外/蓝/绿光LED、激光存储、数字微波通讯 功率开关器件、宝石原料 营收:2.03亿美元(2019年),占全球SiC市场90% 至2019年增长率2367% Proprietary Confidential 国内研究现状 中科院上海硅酸盐研究所1970年代SiC晶体生长研究 2019年九五“863”sc晶体生长项目,o1.”6 中科院物理研究所、力学研究所、山东大学、西安电子科技大学、A6所等 上海德波塞康(DBSK)科研公司 以上硅所技术力量为基础自主研发S晶体生长工艺及设备; 国内唯一具备2”SC小批量生产能力的企业 ●技术水平国内绝对领先,国际九十年代后期先进地位 Proprietary Confidential 口生产工艺路线比较 SiC晶体生产工艺路线 晶种及原料处理 晶体生长 晶体加工 晶体性能测试 产品包装 关键设备 晶体生长炉及微机控制系统、晶体切割设备、研磨设备、抛光设备、 测试设备、净化室以及供水√供电系统 自主研发具独立知识产权的SC晶体生长设备、生长工艺 成熟掌握大尺寸、优质SC单晶生长的核心技术; 国内独家SC单晶生产商,在研发、技术、市场处绝对领先地位, 国际上极少数掌握该技术的公司之 Proprietary Confidential 晶体切割设备 晶体抛光设备 Proprietary Confidential 产业现状 SC晶体生长工艺