单电子的晶体管及其制造技术.pptVIP

单电子晶体管及其 制造技术 二零零二年十一月  内容提要 微电子器件的发展趋势及局限 单电子器件(SET)的发展及前景 SET的基本结构、工作原理及特性 SET的制作技术 问题及前景  微电子器件的发展 从1959年第一块集成电路问世→大规模 集成电路→超大规模集成电路(单位平 方毫米上大于一万个门电路) 1993年:0.35um技术 目前水平:0.18m~0.1m技术, 2010年:将达到0.07m技术,  Inte公司的IC发展过程 1971年英特尔公司生产的第一个芯片只 含有2300个晶体管; 1997年生产的“奔腾I芯片集成了2000 多万个晶体 2000年底推出的“奔腾4”芯片则集成 了4200万个晶体管; 2010年,一个芯片上的晶体管数目将超 过10亿个晶体管 发展趋势完全遵循“摩尔定理  “摩尔定理 每18至24个月,集成电路芯片内的 晶体管数量将翻一番,产品性能将提高 倍,成本将下降一半 1965年,发表在当年第35期《电子》杂志上,是他 中最为重要的文章。这篇不经意之作也是迄今为止半导 体历史上最具意义的论 1975年,摩尔做了一些修正,将翻番的时间从一年调整 为两年。实际上,后来更准确的时间是两者的平均:18  微电子器件的发展的局限 器件散热; 光刻技术及工艺均匀性; 栅氧化层漏电