半导体制造技术深紫外外DUV光刻胶.pptVIP

微电子制造技术 第章 光刻:气相成底膜到软烘 学习目标 1.了解光刻的基本概念,包括工艺概述 关键尺寸划分、光谱、分辨率、工艺宽 容度等 2.讨论正性胶和负性胶的区别; 3.了解光刻的8个基本步骤 4讨论光刻胶的物理特性 5.解释软烘的目的,并说明它在生产中如 何完成; 半导体制造技术 电信学院微电子学系2 光刻的基本概念 光刻就是利用光刻胶的感光性和耐蚀性,在 各种薄膜上复印并刻蚀出与掩摸版完全对应的几 何图形。以实现选择性掺杂和金属布线的目的 是一种非常精细的表面加工技术,在芯片生产过 程中广泛应用。光刻精度和质量将直接影响器件 的性能指标,同时也是影响制造成品率和可靠性 的重要因素。光刻过程如图所刁 光刻制程 正胶工艺开孔 有薄膜的晶圆 负胶工艺留岛 半导体制造技术 电信学院微电子学系3 线宽 间距 光刻胶 厚度 Substrate Figure132光刻胶的三维图形 半导体制造技术 电信学院微电子学系5 掩膜版 掩膜版有投影掩膜版和光掩膜版之分。投影掩 膜版( reticle)是一块包含了要在硅片上重复生成 图形的石英版,这种图形可能只有一个管芯,或者 是几个。光掩膜版( photomask)通常也称为掩膜 版(皿ask),是包含了对于整个芯片来说确定一层 工艺所需的完整管芯阵列的石英板。由于在图形转 移到光刻胶中光是最关键的因素之一,所以光刻有 时被称为光学光刻