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半导体器件基础 例题 1.基本的晶体结构 (a (b) (c) (a)简立方1个原子 口(b)体心立方2个原子 (c)面心立方4个原子 例题1: 计算简立方、体心立方和面立方单晶的原 子体密度,晶格常数为a=5A =0.8×102个原子/c 5×10 1.6×102个原子/cm3 5×10 4 5×1D0)=32×102个原子/cmn3 说明:以上计犷的原子体密度代表了大多教 材料的密度数量级 例题2: 计算硅原子的体密度,其晶格常数为a=543A =5×102个原子/cm 543×10-8 特定原子面密度 例题3: ax√2×5×10°) =566×104个原子/Cm 说明:不同晶面的面密度是不同的 2.波粒二象性 例题4: 计算对应某一粒子波长的光子能量 已知波长A=633mm 能量为 hc(6625×10-)(29979×103 E=hi =3.1386×1019J 换箕为更为常见的电子伏形式 3.1386×10 E 196ev 16×10-19 例题5: 计算一个粒子的德布罗意波长 已知电子的运动速度为p=107cm/s=10m/s 电子动量为 P=m=(91103)×10=91×10kg-m/s 德布罗龙波长 h6625×1 727×109m=72.7A 9.11×10 说明:典型电子的德布罗意波长的教量级 3.能级 例题6 計算元限深势阱中电子的前三能級