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实验一 光敏电阻特性实验 一．实验目的： １．认识学习光敏电阻，掌握光敏电阻的基本工作原理。 ２．掌握使用本仪器测定光敏电阻的各种特性。 ３．达到会用光敏电阻器件进行光电检测方面应用课题的设计。 二．实验原理： 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻， 又称为光导管， 是一 种均质的半导体光电器件 ,其结构如图（ 1 ）所示，光敏电阻 采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大 的灵敏面积 ,提高灵敏度。 光敏电阻应用得极为广泛， 可见光 波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻， 利用光敏 电阻制成的光控开关在日常生活中随处可见， 当内光电效应 发生时，光敏电阻电导率的改变量为： p e p n e n 图（１） 在上式中， e 为电荷电量， p 为空穴浓度的改变量， n 为电子浓度的改变量， 表示迁 A 移率，当两端加上电压 U后，光电流为： I U ph d 式中 A 为与电流垂直的表面， d 为电极间的间距。在一定的光照度下， 为恒定的值，因 而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻在未受到光照射时的阻值称为暗电阻， 此时流过的电流称为暗电流， 光敏电阻 受到光照射时的阻值称为亮电阻， 此时流过的电流称为亮电流， 亮电流与暗电流之差称为光 电流， 一般暗电阻越大， 亮电阻越小，光敏电阻的灵敏度越高，光敏电阻的暗电阻一般在兆 2 6 欧数量级，亮电阻在几千欧以下，暗电阻与亮电阻之比一般在 10 ～ 10 之间。 一般光敏电阻（如硫化铅、硫化铊）的伏安特性曲线如图（ 2 ）所示，由该曲线可知， 所加的电压越高，光电路越大， 而且没有饱和现象，在给定的电压下， 光电流的数值将隋光 照增强而增大， 在设计光敏电阻变换电路时， 应使光敏电阻的工作电压或电流控制在额定功 耗线之内。 图（２）光敏电阻伏安特性曲线 光敏电阻的光电流与光照强度之间的关系， 称为光敏电阻传感器的光照特性， 不同类型 的光敏电阻，其光照特性也不同，多数光敏电阻传感器光照特性类似于图（ 3）的特性曲线， 光敏电阻的光照特性呈现出一定程度的非线性特性， 光敏电阻的光照度——电阻值的典型特 性曲线如图（ 4 ）所示，低照度 a 区曲线斜率较大，中间照度区 b 区可近似视为直线区，也 是光敏电阻的主要工作区， 因而光电流随光照度增长较快， 在高照度区， 电阻值随照度下降 慢，光电流随照度增长也变慢。 图 （３）光敏电阻光照特性曲线 图（４）光敏电阻照度—电阻特性曲线 几种常用光敏电阻的光谱特性曲线如图（ 5 ）所示，对于不同波长的光，光敏电阻的灵