半导体工艺 离子注入分析.pptVIP

价T到 离子注入 主要内容 、离子注入 2、离子束的性质 3、离子束加工方式 4、离子注入系统 5、离子注入的特点 6、沟道效应及避免方法 7、离子与衬底原子的相互作用 8、注入损伤 9、退火 10、离子注入的优缺点 1、离子注入: 离子注入出现:随着集成电路集成度的提高,对器 件源漏结深的要求,且传统的扩散己无法精确控制杂 质的分布形式及浓度了。 离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面, 这个现象叫做溅射; 当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹回来, 或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射 离子束射到固体材料以后,离子束与材料中的原子 或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,入射 离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料 表面成分、结构和性能发生变化,这一现象就叫做离 子注入。 2、离子束的性质 离子束是一种带电原子或带电分子的束状流, 能被电场或磁场偏转,能在高压下加速而获得很高 的动能 离子束的用途: 掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、 打孔、切割等。不同的用途需要不同的离子能量E: E10Ke,刻蚀、镀膜 E=10~50KeV,曝光 E50KeV,注入掺杂 4、离子注入系统: 离子源:用于离化杂质的容器。常用的杂质源气 体有BF2、AsH2和PH2等。 质量分析器:不同离子具有不同的电荷质量比, 因而在分析器磁场中偏转的角度不同,由此可