高频电子技术 包络检波器性能指标和失真 包络检波器性能指标和失真.pptVIP

《高频电子技术》课程 通信技术专业教学资源库 四川信息职业技术学院 包络检波器性能指标和失真 目 录 　 包络检波器的性能指标 01 包络检波器的失真 02 1.包络检波器的性能指标 （1）电压传输系数Kd 当输入为高频等幅波时 : 当输入为单频普通调幅波时 : 1 2 3 4 uI(t) 0 t Uim uO(AV) 0 t uO(t) uO(t) 图2(a) 输入、输出信号波形 图2(b)理想输出信号波形 Uim 1.包络检波器的性能指标 条件是检波器输入为高频等幅波 （2）输入电阻Ri 则检波器输入功率为 ： 输出功率为 ： （直流功率） 则 : 而由于 可得: 故得 : 输入功率一部分转换为输出功率，一部分消耗在二极管的正向电阻上，此消耗功率很小，可忽略。 2.包络检波器的失真 Tr + _ u1(t) 图1 二极管包络检波器 V _ iD Cc RL u0(t) AM + _ Ri2 + _ + + _ U0 CL uΩ(t) uD(t) 分类 非线性失真 截止失真 频率失真 惰性失真 负峰切割失真 检波器的失真 2.包络检波器的失真 Tr + _ u1(t) 图1 二极管包络检波器 V _ iD Cc RL u0(t) AM + _ Ri2 + _ + + _ U0 CL uΩ(t) uD(t) 原因：是由于二极管伏安特性的非线性引起的。 原因：是由于二极管存在导通电压Uon,当输入调幅波的振幅小于Uon时，二极管截止引起的。 克服措施：适当增大RL，可使非线性失真很小。 （2）截止失真 克服措施：使Uim(1-ma)Uon，则可避免截止失真。或二极管尽量采用锗管。 （1）非线性失真 2.包络检波器的失真 Tr + _ u1(t) 图1 二极管包络检波器 V _ iD Cc RL u0(t) AM + _ Ri2 + _ + + _ U0 CL uΩ(t) uD(t) 原因：是由于检波负载电容CL和隔直电容Cc取值不合理引起的。 其中CL的作用是旁路高频分量，若值太大，则其容抗值很小，将使有用的低频分量受到损失，引起频率失真。Cc的作用是隔直流通低频分量，若值太小，则其容抗值很大，将使有用的低频分量受到损失，引起频率失真。 克服措施：使CL1/RLΩmax和 Cc1/Ri2Ωmi n ，则可避免频率失真。 （3）频率失真 2.包络检波器的失真 Tr + _ u1(t) 图1 二极管包络检波器 V _ iD Cc RL u0(t) AM + _ Ri2 + _ + + _ U0 CL uΩ(t) uD(t) 检波负载RL、CL越大，CL在二极管截止期间放电速度就越慢，则电压传输系数和高频滤波能力就越高。但RLCL取值过大，将会出现二极管截止期间电容CL对RL放电速度太慢，这样检波器的输出电压就不能跟随包络线变化，于是产生了惰性失真。 原因：是由于RLCL取值过大引起的。 （4）惰性失真 2.包络检波器的失真 Tr + _ u1(t) 图1 二极管包络检波器 V _ iD Cc RL u0(t) AM + _ Ri2 + _ + + _ U0 CL uΩ(t) uD(t) t1 t2 图2 惰性失真波形 由图可以看出，在t1时刻，CL上电压的下降速度低于调幅波包络的下降速度，使下一个高频正半周的最高电压仍低于此时CL的两端电压uo(t)，二极管截止，则uo(t)不再按调幅波包络变化，而是按CL对RL的放电规律变化，直到t2时刻，uI(t)的振幅才开始大于uo(t)，检波器才恢复正常工作。这样，在t1~t2期间产生了惰性失真。又称为对角切削失真。 uO(t) uI(t) t 0 Uim 2.包络检波器的失真 Tr + _ u1(t) 图1 二极管包络检波器 V _ iD Cc RL u0(t) AM + _ Ri2 + _ + + _ U0 CL uΩ(t) uD(t) 克服措施：为了避免产生惰性失真，二极管必须在每个高频周期内导通一次，则要求电容CL的放电速度大于或等于调幅波包络下降的速度。即： 上式表明，ma和Ω越大，包络下降速度就越快，则避免产生惰性失真所要求的RLCL值也就必须越小。在多频调制时，上式中ma和Ω应取最大值。 2.包络检波器的失真 本节课我们主要给大家讲解了包络检波器的性能指标参数的计算和其失真产生的原因和克服的措施。 从电路中： （1）对于性能指标参数要理解其含义且能灵活计算。 （2）包络检波器的失真要掌握各个失真产生的原因和克服的措施，优其是惰性失真，在实际电路中