半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验.pdfVIP

. 半导体 PN结的物理特性及弱电流测量实验 【实验目的】 1．在室温时，测量 PN结电流与电压关系，证明此关系符合指数分布规律。 2．在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。 3．学习用运算放大器组成电流 - 电压变换器测量弱电流。 4 ．测量 PN结电压与温度的关系，求出该 PN结温度传感器的灵敏度。 5．计算在 0K 温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度。 【实验原理】 1． PN结伏安特性及玻尔兹曼常数测量 由半导体物理学可知， PN结的正向电流 - 电压关系满足： I I0 exp( eU / kT ) 1 (1) 式中 I 是通过 PN结的正向电流， I 0 是反向饱和电流， 在温度恒定是为常数， T 是热力学温度， e 是 电子的电荷量， U 为 PN 结正向压降。由于在常温 (300K) 时， kT / e ≈0.02