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一 寸 光 阴 不 可 轻 模拟集成电路课程设计 CMOS 两级运放设计 一、摘要 本课程设计要求完成一个两级运放的设计，采用设计工艺为 CMOS 的 0.35um 工艺技术， 该工艺下器件可以等效为长沟道器件，在分析计算时可采用一级模型进行计算。本次设计主 要了对于共模输入电压等指标提出了要求，详见下表。在正文中将就如何满足这些指标进行 分析与讨论，并将计算结果利用 cadence 进行仿真，得出在 0.35um 工艺电路的工作情况。;一 寸 光 阴 不 可 轻 三、设计指标 本模块将根据设计要求的指标逐一进行分析： 开环直流增益：考虑直流增益时忽略所有电容的影响，画小信号图如下：;一 寸 光 阴 不 可 轻 ;一 寸 光 阴 不 可 轻 为放电过程中 M6 有大的过驱动电压可以实现快速充电。放电时，对应的为一个大的负输入 阶跃信号的情况，由于IDS7受偏置电流及相互间的宽长比控制，可视为恒定值，同时IDS5也 需要占用一部分，所以能够提供给CL的电流大小为IDS7 ? IDS5，所以对于外部节点的转换速 率大小为：;一 寸 光 阴 不 可 轻 ;6