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电工学秦曾煌下册电子技术详解;导 体:自然界中很容易导电的;半导体的导电机理不同于其它物质;14.1.1 本征半导体一、本;本征半导体:完全纯净的、结构完;硅和锗的共价键结构共价键共用电;共价键中的两个电子被紧紧束缚在;二、本征半导体的导电机理在绝对;+4+4+4+4自由电子空穴束;2.本征半导体的导电机理+4+;温度越高,载流子的浓度越高,本;14.1.2 N 型半导体和P;一、N 型半导体+4+5+4+;N 型半导体中的载流子是什么?;二、P 型半导体在硅或锗晶体中;三、杂质半导体的示意表示法--;4. 在外加电压作用下,P ;PN 结的形成在同一片半导体基;P型半导体----------;P型半导体----------;---------------;1.空间电荷区中几乎没有载流子;PN结的单向导电性 PN 结加;一、PN 结加正向电压内电场外;二、PN 结加反向电压----;总结: 1、加正向电压时,;14.3 二极管发光 ;无标题;一、基本结构:PN 结加上管壳;UI硅管0.5V锗管0.1V反;三、主要参数1. 最大整流电流;3. 反向峰值电流 IRM指二;UI导通压降实际二极管:正向导;UI 理想二极管:正向导通 -;二极管电路分析 分析方法: ;二极管:死区电压=0 .5V,;例2:已知:管子为锗管,VA ;例3:已知:管子为锗管,VA ;FD1D2AB-12V例4:1;FD1D2AB+12V例5:设;ui 8V,二极管导通,可;例7:二极管的应用 ---- ;作业14.3.214.3.5返;UI硅管0.5V锗管0.1V反;UI 理想二极管:正向导通 -;符号 ;(1) 稳定电压 UZ ;例1:已知:Uz = 12V,;负载电阻:例2:稳压管的技术参;uoiZDZRiLiuiRL联;§14.5 晶体管(a) 金;14.5.1 基本结构常见:硅;NPN型晶体管PNP型晶体管发;基区:最薄,掺杂浓度最低发射区;BECNNP 三极管放大的外部;晶体管电流放大的实验电路 ;IB(mA)IC(mA)IE(;ICIEIB+UCE?+ ;晶体管内部运动发射区向基区扩散;电流分配和放大原理BECNNP;BECNNPEBRBECIEI;直流电流放大倍数:ICE 与 ;14.5.3 特性曲线 ;输入回路输出回路;一、输入特性曲线UCE ?1V;IB(?A)UBE(V)204;二、输出特性曲线IC(mA)1;IC(mA)1234UCE(V;IC(mA )1234UCE;输出特性三个区域的特点放大区:;(2) 饱和区:发射结正偏,集;(3) 截止区:发射结反偏,集;例1: ? = 50, USC;T 管工作于放大区ICUCEI;解:USB =5V时:ICUC;已???UCE=6V时:IB=40;三、主要参数 前述电路中;2.集-基极反向截止电流 IC;4.集电极最大允许电流ICM ;6. 集电极最大允许功耗PCM;例2:现测得放大电路中两晶体管;例2:已知:管子为锗管,VA ;§14.6 光电器件 发光二;结 束;此课件下载可自行编辑修改,仅供
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