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微波毫米波振荡器 微波/毫米波振荡器件 、微波/毫米波振荡器的基本原理 DRO振荡器的原理与设计 四、毫米波振荡器 五、微波/毫米波锁相源 微波/毫米波振荡器件 IMPATTG DIODE 单端口器件 GUNN DIODE BJT双极晶体管 双端口器件 FET场效应晶体管 1.1微波双极晶体管 因有两种载流子参与导电,故称双极晶体管 截止工作频率f而取决于发射极和集电极之 间的渡越时间τe T=T+T+TL+T 其中τ为发射结的充电时间 τ为集电结的充电时间 τ为基区渡越电时间 τ为集电结渡越电时间 微波双极晶体管的模型(1) B R 管芯等效电路 RI RE发射极扩展电阻 Cc--集电极-基极结电容 Rs--集电极扩展电阻 CcE--集电极-发射极结电容 RB发射极空间电荷电阻R--基极扩展电阻 CE--发射极-基极结电容a--零频共基极电流放大倍数 微波双极晶体管的模型(2) B 管芯 C 封装等效电路 C1,C2,C3,C4--各封装接点之间的电容 ---输入和输出端之间的电容 参考面与封装边缘之间的引线电感 L.L 封装边缘与金属丝接点之间的引线电感 芯片与发射极端子的金丝电感 1.2微波场效应管FET 微波场效应晶体管是由GaAs材料制成。 具有肖特基势垒栅的场效应管通常称为 MSFET 最高振荡频率可达60GHz。 M 外延层 沟道沟道 衬底 微波场效应管