21二极管三极管MOS管的开关特性.pptVIP

极限参数 反向击穿电压 BV CEO 与 BV CEO 最大允许集电极耗散功率 P CM 当 I C ＞ I CM 时， β 值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。 三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时， 集电极耗散的最大功率。 最大允许集电极电流 I CM 一般规定在 β 值下降到额定值的 2 ／ 3 （或 1 ／ 2 ）时所对应的集电极 电流为 I CM BV CEO 是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。 BV CBO 是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。 31 2.1 二极管、三极管、 MOS 管的开关特性 半导体基础知识 2. 本征半导体 1. 半导体 : 3. 掺杂半导体： 不仅有电子载流子，还有空穴载流子 ① P 型半导体 ② N 型半导体 1 理想开关特性的静态特性： 闭合时电阻为 0 实际上开关闭合时总是有一个很小的电阻，断开时电阻不 可能为 ∞ ，转换过程总要花一定的时间 开关动作在瞬间完成 断开时电阻为 ∞ 开关特性 静态开关特性： 动态开关特性： 2 二极管 耗尽层、耗尽区、空间电荷区 ㈠ 内特性 ： 1. PN 结特性 PN 结 动态平衡时，扩散电流与漂移电流大小相等，方向相反。 3 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂 质 , 分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在 N 型半导体和 P 型