光电效应 讲稿LH.pptVIP

大学物理实验 光 电 效 应 ? 背景 ? 实验要求和内容 ? 实验原理 ? 仪器设置 ? 实验内容 ? 数据处理 ? 误差分析 ? 光电效应的应用 【背景】 ? 赫兹在研究紫外线对火花放电的影响时发现了光电效 应。后来勒纳德等人制作了二极管研究了这一现象。 当时无法用经典理论解释。 ? 1900 年，普朗克（ Max Karl Ernst Ludwig Planck, 1858 — 1947 ）提出量子假设。 ? 1905 年，爱因斯坦提出光量子概念，解释了光电效应 现象。 普朗克是该杂志的主编，他 对爱因斯坦的工作给予了高 度的评价 在普朗克获博士学位五十周年 纪念会上普朗克向爱因斯坦颁 发普朗克奖章 一、实验要求和内容 1. 光电效应示意图 2. 光电效应 外光电效应 —— 光作用下金属表面逸出电子。 内光电效应 —— 光电导效应： 半导体材料在光照下，电子受能量大 于 电子禁带宽度的光子作用激发导带，增加电导率的现象。 光生伏打效应： 半导体材料在光照下，产生一定方 向电动势的现象。 3. 实验规律 (1) 饱和光电流： 饱和光电流强度与入射光强度成正比。 (2) 每个光电子的动能 随入射光频率提高而增大， 与入射光强无关； 2 2 1 mV U 0 3 1 2 U I I S 0 (3) 存在截止频率： 对某一 种金属来说，只有当入 射光的频率大于某一频 率 时，电子才