【通用】第五章 宽带隙半导体材料.pptVIP

GaN体材料在高亮LED应用中优势 * .......... GaN的电学性质 * .......... III族氮化物的N型掺杂 * .......... III族氮化物的P型掺杂 * .......... GaN在高电场下的输运性质 * .......... GaN是制备微波功率器件的理想材料 * .......... GaN的光学性质 * .......... 时间分辨PL谱表征GaN质量 * .......... GaN基LED结构 * .......... * .......... III族氮化物紫外探测器 * .......... AlGaN光导型探测器 * .......... 氮化物PIN型探测器 * .......... .iuu .iuu .iuu .iuu .iuu .iuu 光电子材料与器件 Optoelectronic Materials and Devices * .......... 宽带隙半导体材料的优势 半导体材料的带隙宽度(Bandgap)是半导体材料自身固有的基本属性，半导体材料的带隙宽度决定了其制成器件的工作温度区域和工作光学窗口。 第一、二代半导体像Ge、Si、GaAs、InP这些对信息技术发展起了关键推动作用的半导体材料的带隙都小于2 eV，相应的工作温区不超过250度，工作光学窗口在近红外以内。 随着信息技术的迅猛发展，发展高功率、高频、高温电子器件以及短波长光电器件已经成为迫切需求，研究发展宽带隙半导体，以突破现有半导体器件的工作高温限制和短波限制。 * .......... 什么是宽带隙半导体？ 从学术角度难以对其带隙宽度范围给予界定，通常是相对于目前主流半导体材料以及半导体技术应用发展前景来界定宽带隙半导体材料的带隙界限。 早先人们把带隙宽度大于2.2eV的半导体材料称作“宽带隙半导体”，近来人们又把宽带隙半导体定义为超过2.5eV的半导体材料。 * .......... 最受重视的宽带隙半导体 III族氮化物， 包括GaN，InN，AlN，以及三元合金AlGaN, InGaN，四元合金InGaAlN，都是直接带隙半导体材料。 IV-IV族氮化物，包括SiC(2.4~3.1eV)和金刚石薄膜(5.5eV)，都是间接带隙半导体材料。 ZnO基氧化物 ，主要是ZnO(3.3~4.0eV)及其三元合金ZnMgO, ZnCdO, 是直接带隙半导体材料。 II-V族化合物，Zn基化合物，如ZnSe(2.67eV), ZnTe, ZnS(2.67eV)以及其三元、四元合金ZnMgSSe,是直接带隙半导体材料。 * .......... 制备蓝光LED的宽带隙半导体 * .......... III族氮化物研究发展 早期对GaN研究重要贡献的学者： Isamu AKASAKI Hiroshi AMANO Shuji Nakamura * .......... 氮化物研究的几个重大突破 1986年，日本的科学家Amano和Akasasi利用MOCVD技术在AlN缓冲层上生长得到高质量的GaN薄膜。 随后他们利用低能电子束辐照(LEEBI)技术得到了Mg掺杂的p型GaN样品，视为GaN研究发展的另一重大突破。1989年，他们研制出第一个p-n结构的LED。 * .......... 同一时期，日本日亚(Nichia)公司的中村修二(Nakamura)等人利用低温GaN缓冲层同样在蓝宝石衬底上得到高质量的GaN薄膜，并采用氮气(N2)或真空气氛下退火得到p型GaN。 中村等人在随后短短三年多时间内在GaN基发光器件方面实现了三大跨越：1994年第一支GaN基高亮度蓝光LED，1995年第一支GaN基蓝光LD，1998年连续工作蓝光LD的寿命达到6000小时。日亚公司也在这个时期实现了GaN基蓝绿光LED和LD的商品化。由于中村在蓝光LED领域的出色工作，他被称为“蓝光之父”。 * .......... 部分化合物半导体的带隙宽度 * .......... 氮化物三元合金的X射线衍射谱 * .......... 宽带隙半导体材料的特点 压电性与极化效应 高热导率 小介电常数 极高临界击穿电场 耐高温、抗辐射 大激子束缚能 巨大能带偏移 * .......... 宽带隙半导体材料的技术应用 短波长发光器件 短波长发光二极管LED 短波长激光器LD 高温、高功率、高频电子器件(HEMT) III族氮化物电子器件 SiC电子器件 金刚石半导体电子器件 探测器 紫外探测器、太阳盲紫外探测器、粒子探测器 * .......... 面临的几个科学技术问题 从总体上来说，宽带隙半导体材料要达到第一代、第二代半导体技术的水平，还必须解决包括体