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第二章 门电路;本章重点;2.1 概述;如何获得高、低电平呢？;2.2 半导体二极管门电路;图2.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法;图2.2.4 二极管的动态电流波形;;A;二极管构成的门电路的缺点;2.3 CMOS门电路;二、 MOS场效应管介绍;MOS管的结构 ;图2.3.2 N沟道 MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线;图2.3. 3 NMOS管的转移特性;三、MOS管的基本开关电路;四、等效电路;图2.3.6 P沟道增强型MOS管;图2.3. 8 用P沟道增强型MOS管接成的开关电路;五、MOSFET的开关作用;2.3.2 CMOS反相器电路结构与工作原理;“0” (0V);“0” (0V);;二、电压、电流传输特性;图2.3.13 CMOS反相器的电流传输特性;三、输入端噪声容限;图2.3.15(a) 不同VDD下CMOS反相器的噪声容限;图2.3.15(b) CMOS反相器输入端噪声容限与VDD的关系;★为了正确地处理门电路与门电路，以及门电路与其它电路之间的连接问题，必须了解门电路输入端和输出端的伏安特性，即输入特性和输出特性。;一、输入特性;;二、输出特性;2、高电平输出特性;2.3.5 其他类型的CMOS门电路;;3)带缓冲级的CMOS门电路;;二、漏极开路的门电路（OD门）;OD门的作用:;图2.3.32 OD门的线与接法;OD门外接负载电阻RL的计算; 为保证输出高电平不低于规定的VOH值 ，RL不宜选得过大。由以上分析列出RL最大值的公式：;“0”; 在最坏情况下，只有一个OD门导通，流过RL的电流和负载电流全部灌入该导通的OD门中，所以RL的值不可太小，以确保灌入导通OD门的电流不超过最大允许的负载电流IOL(max)。由以上分析可列出RL最小值的公式：;三. CMOS传输门;(二)工作原理：;(三)CMOS传输门的作用：;四、三态输出门（Three State Output Gate ,TS）;三态门的用途;课堂练习;2.3.7 CMOS数字集成电路的各种系列;;2.4 TTL门电路;2.4.1 半导体三极管的开关特性;二、三极管的输入特性和输出特性;三极管的输出特性(NPN);特性曲线分三个部分;只要参数合理设置: VI=VIL时，三极管截止， VO=VOH VI=VIH时，三极管饱和导通， VO=VOL ;四、三极管的开关等效电路;五、动态开关特性;六、三极管反相器;2.4.2 TTL反相器的电路结构和工作原理;;2、当输入A为高电平VIH=3.4V时：;;二、电压传输特性;三、输入噪声容限;一、输入特性;二、输出特性—高电平输出特性;二、输出特性—低电平输出特性;应用举例：例2.4.2;1;三、输入端负载特性;Rp;课堂练习;例2.4.3 在图2.4.20电路中，为保证G1门输出的高、低电平能正常的传送到G2门的输入端，要求vO1=VOH时vI2≥VIH(min)，vO1=VOL时vI2≤VIL(max)，试计算RP的最大允许值。已知G1和G2均为74系列的反相器，VCC=5V,VOH=3.4V,VOL=0.2V, VIH(min) =2.0V, VIL(max) =0.8V。;2）计算vO1=VOL，vI2≤VIL(max)时RP的允许值：;2.4.5 其他类型的TTL门电路;2. 或非门;;4. 异或门;二、集电极开路的门电路(OC门);2、OC门的结构特点;OC门实现的线与;3、外接负载电阻RL的计算;对于TTL与非门，m′是负载门的个数;例2.4.5 试为图2.4.37电路中的外接负载电阻RL选定合适的阻值。已知G1、G2为OC门，输出管截止时的漏电流为IOH=200?A,输出管导通时允许的最大负载电流IOL(max)=16mA。 G3、G4 和G5均为74系列与非门，它们的低电平输入电流IIL=-1mA，高电平输入电流IIH=40?A。给定VCC=5V，要求OC门输出的高电平VOH≥3.0V,低电平VOL≤0.4V。;三、三态输出门(TS门);三态门的用途;课堂练习;2.4.6 TTL数字集成电路的各种系列;本章小结：;三、数字集成电路的分类;作 业：