薄膜物理与技术 5薄膜的形成与生长.pptVIP

3) 当温度高于 T2 后，临界核是三 原子或四原子团。因为这时双键 已不能使原子稳定在核中。要形 成稳定核，每个原子至少有三个 键，稳定核是四原子团或五原子 团。 4) 当温度再进一步升高达到 T3 以 后，临界核显然是四原子团和五 原子团，有的可能是七原子团。 图中 T1 ， T2 和 T3 称为 转变温度或临界温度。 注： 热力学界面能成核理论中，描述核形成条件采用临界核半径的概念。 5.2 成核理论 - 原子聚集理论 5.2 成核理论 - 原子聚集理论 2 1 0 0 ln( / ) d E E T k J n ? ? ? ? 3 2 0 0 1 2 ln( / ) d E E T k J n ? ? ? ? 转变温度或临界温度： 形成临界核的等效温度 式中 为表面原子的振动周期（大约 10 -13 ~10 -12 s ）， J 为单位时间入射到基片单位面积的总原子数； 是单位基片表面上吸附位置数； E 2 、 E 3 分别为两个和三个原子的结合能 o ? o n 1 T 根据临界核原子数的多少，以及结合能和吸附能的大小， 可以计算形成临界核的临界温度 。 对两个和三个原子结合成临界核的转换温度 、 可以 用下式计算