半导体中少数载的流子寿命测量.pptVIP

N型二极管中少数载流子寿命 的测量 6300190005曹海 指导教师:陆昉 研究目的 1在半导体处于非平衡状态时(如外加电场),少数载 流子从产生到复合所用的平均时间称为少数载流子的 寿命 2.少数载流子寿命是由半导体材料性质、掺杂情况及半 导体中深能级缺陷所决定的参数,它对器件的特性起 着重要作用(如太阳能电池的光电转化效率) 3.通常的光学测量方法很难测量器件中的少数载流子寿 命。使用反向恢复时间法测量半导体中少数载流子的 寿命,就能够克服光学方法的难点,测量器件中的少 子寿命。 原理 脉冲恢复法:将二极管和取样电阻串联接到信号发生器 的两端,让信号发生器输出如图所示的脉冲信号,用 示波器接在取样电阻的两端测量电阻两端电压(电路 中电流)随脉冲信号的变化情况 电阻 示波器 实验电路图 实验中使用的脉冲信号 平衡态 空穴( positive)O ●电子( negative) 内建电场 No° 移流 当外加电压为零时,PN结处于平衡状态PN结中有效电流为零。由载 流子分布不同造成的扩散电流与PN结边界外累积电荷所形成的內建场 生的漂移电流抵消。 正向注入 内建电场 ○O●扩散流 + p 正向电压 (以空穴行为为例) 开始时先加上一个与内建电场方向相反的正向电压由于它的作用使得PN结内部的 势垒变窄。因此扩散电流要大于漂移电流,从而使得少数载流子能够越过势垒.由 于复合