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失效分析常用工具介绍 透射电镜（ TEM ） TEM 一般被使用来分析样品形貌 （morhology ），金相结构 （crystallographic structure ） 和样品成分分析。 TEM 比 SEM 系统能提供更高的空间分辨率， 能达到纳米级的分辨率， 通 常使用能量为 60-350keV 的电子束。 与 TEM 需要激发二次电子或者从样品表面发射的电子束不同， TEM 收集那些穿透样品的电 子。与 SEM 一样， TEM 使用一个电子枪来产生一次电子束， 通过透镜和光圈聚焦之后变为 更细小的电子束。 然后用这种电子束轰击样品， 有一部分电子能穿透样品表面， 并被位于样品之下的探测器收 集起来形成影像。 对于晶体材料，样品会引起入射电子束的衍射，会产生局部 diffraction intensity variations ，并能够在影像上非常清晰的显现出来。 对于无定形材料， 电子在穿透这些物理 和化学性质都不同的材料时， 所发生的电子散射情况是不相同的， 这就能形成一定的对比在 影像观察到。 对于 TEM 分析来说最为关键的一步就是制样。样品制作的好坏直接关系到 TEM 能否有效 的进行观察和分析，因此，在制样方面多加努力对于分析者来说也是相当必要的工作。 扫描声学显微镜 集成电路封装的可靠性在许多方面要取决于它们的机械完整性 . 由于不良键合、孔隙、微裂 痕或层间剥离而造成的结构缺陷可能不会给电性能特性带来明显的影响 ,但却可能造成早期 失效 .C 模式扫描声学显微镜 (C — SAM) 是进行 IC 封装非破坏性失效分析的极佳工具 ,可为 关键的封装缺陷提供一个快速、全面的成象 . 并能确定这些缺陷在封装内的三维方位 .这一 C—SAM 系统已经在美国马里兰州大学用于气密性 ( 陶瓷 ) 及非气密性 ( 塑料 )IC 封装的可靠 性试验。它在塑料封装常见的生产缺陷如 : 封装龟裂、叶片移位、外来杂质、多孔性、钝化 层龟裂、层间剥离、切断和断裂等方面表现出 俄歇电子（ Auger Analysis ） 是一种针对样品表面进行分析的失效分析技术。 Auger Electron Spectroscopy 和 Scanning Auger Microanalysis （微量分析） 是两种 Auger Analysis 技术。这两种技 术一般用来确定样品表面某些点的元素成分， 一般采取离子溅射的方法 （ion sputtering ）， 测量元素浓度与样品深度的函数关系。 Auger depth 可以被用来确定沾污物以及其在样品 中的所在未知。它还可以用来分析氧化层的成分（ composition of oxide layers ），检测 Au －Al 键合强度以及其他诸如此类的。 与 EDX 或 EDX 的工作原理基本类似。先发射一次电子来轰击样品表面，被撞击出来的电 子处于一个比较低的能量等级（ low energy levels ）。而这些能级较低的空能带就会迅速 被那些能量较高的电子占据。而这个电子跃迁过程就会产生能量的辐射，也会导致 Auger electrons （俄歇电子）的发射。所发射的俄歇电子的能量恰好与所辐射出的能量相一致。 一般俄歇电子的能量为 50-2400ev 之间。 在 Auger Analysis 中所使用的探测系统一般要测量每一个发射出的俄歇电子。然后系统 根据电子所带的能量不同和数量做出一个