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亲通大字
BENJING JIAOTONG UNIVERSI
器件及应用
1、理解电力电子器件的主要损耗、与普通电子器件的不同点;
掌握开关器件的开关过程损耗( Switching loss)和通态损耗
( On-state loss)的基本计算方法。
说明:① Total power loss includes:
conduction loss(通态损耗
Switching loss(开关损耗)turn- off loss+turn- on loss)
off-state loss(断态损耗) usually very small and can be
neglected)
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说明:② Features of power electronic devices(电力电
子器件的主要特征,与信息电子器件的不同点)
容量远大于电子器件
工作在开关状态以减小功率损耗
由控制电路控制,控制电路与功率电路之间需要加驱动
电路
·功率损耗远大于电子器件,需要散热器
说明:③注意:计算开关损耗时,要先画出开关过程中
管子上的电压电流波形,电压电流波形不同,开关损耗的
计算式也不同。
说明:④通态损耗:Ppm= Von t
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2、理解 Diode的反向恢复、软恢复,普通 Diode和快速
Diode的区别
说明:①普通 Diode和快速Dode的区别
Line- frequency diodes( (rectifier diodes普通二极管)
通态压降低
反向恢复时间长(工作频率低)
电压、电流额定值大
适合于工频应用场合
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Fast-recovery diodes(快恢复二极管
·反向恢复时间短(工作频率高
·电压、电流额定值小
用于高频电路
Schottky diodes(肖特基二极管)
反向恢复时间短,通态电压低 typically0.3v)
反向阻断电压低,电压额定值小( ess than200V)
用于高频低电压电路
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说明:②反向恢复的概念,软恢复、硬恢复。
二极管在关断过程中,由于半导体PN结需要进行反向充
电,以便与阻断电压相平衡,二极管中的电流会反向流动,
并持续一段时间后才衰减为零,这段时间称为反向恢复时
间tr
0.251
“ snappiness factor恢复系数
S=下降时间t延迟时间t4
Sof- recovery diode教统复:tst4
tts
Abrupt-recovery diode硬恢复:tt4
trr
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3、理解电力二极管、电力场效应晶体管(电力 MOSFET)和绝
缘栅双极晶体管(GBT等常用电力电子器件的工作原理、特
点、主要参数的含义、静态特性
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4、掌握电力电子器件的缓冲吸收技术
说明:① Snubber的作用。
改变器件开通/关断轨迹来降低器件的开关损耗
抑制器件在关断过程中承受的过电压
抑制器件在关断过程中承受承受的dvdt
限制器件开通过程中承受的过电流和承受的ddt
限制器件开通过程中承受的ddt
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说明:②关断 Snubber的三种形式。
R- C snubbers(用于二极管及晶闸管)
Goal: Used to protect diodes and thyristors by limiting the
maximum voltage and dv/at at reverse recovery
13
C。的作用是限制D上的dvt和关Dv76
The roles of elements
断过电压;
R的作用是限制c的放电电流。
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tur- off snubbers(关断 Snubber)(用于全控器件)
Goa!:改变可控器件的开关轨迹限制可控器件瞬时过电压和
dv/dt
Turn-off
Operation
snubber
IDf
Ds shorts out Rs during Sw turn-off
During Sw turn-on, Reverse
biased and Cs discharges through
The roles of elements
c的作用是限制Sw上的dvd和限制关断过电压
R的作用是当S开通时泄放C。上的能量,并限制放电电流
D的作用是当S关断时使R
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