电子元器件测量和仪器精选.pptVIP

,墨写鸟影住测雪与像 上 象电号兄器贷测量与仪器 6,1概述 62伏安法及数字化测量 63电桥法测量集中参数元件 64谐振法测量集中参数元件 65晶体管特性图示仪及应用 本章小结 塑,身影园圆包像《 第6章电子元器件测量与仪器 学习参考:本章主要介绍电阻、电感、电容、晶体管等电 子元器件的测量及测试仪器的组成原理,要求通过学习理解电 子元器件的测试方法及原理,了解测量仪器的组成及使用方法 本章要点:集中参数元件的等效,集中参数元件的测量方 法、工作原理及电桥、Q表、晶体管特性图示仪的组成及使用 塑,身影园圆包像《 61概述 在电子技术中,电子元器件的测量主要包括集中参数元 件的测量和晶体管、场效应管等器件的测量。集中参数元件 测量是指对电阻、电容、电感、阻抗品质因数Q及损耗因数D 的测量。虽然理想元件中只包含大小恒定不变的纯电阻或纯 电抗,但实际的集中参数元件并非如此,因此,集中参数元 件的测量还包括Q、D的测量。 如图6.1所示,实际电阻器可以等效为纯电阻R与寄生电感 Ⅰ的串联。寄生电感是由于绕制电阻的金属丝或碳膜电阻制 造过程中的刻槽等原因而产生的。在低频状态下,OL很小 故可以忽略绕制电阻而产生的寄生电感L1的影响,但在高频 状态下,应考虑L的影响 塑,身影园圆包像《 如图6.2(a)、图62(b)所示, 实际电容器可以等效为串联损 图61实际电阻器的等效电路 耗电阻Rcs与纯电容C的串联或 并联损耗电阻Rcρp与纯电容C的 并联。损耗电阻包括电容漏电 阻和介质损耗电阻。事实上实 Rcp 际电容器还存在引线电感,因 为低频状态下引线电感的感抗 很小,可以忽略。通常用损耗 图6.2实际电容器的等效电路 因数D3(或损耗角正切tanδ)来表示电容器的损耗大小。图 62(a)、图6.2(b)分别具有如下关系: 塑,身影园圆包像《 Dx=tand=RcS/XC=OCrcs Dx=tand= XCRcP=l/OcRcp 式中,X为电容器的容抗;δ为电容器的损耗角。 如图63(a)、图6.3(b)所示,实际电感器可以等效为串联 损耗电阻Rs与纯电感L的串联或并联损耗电阻R1P与纯电感L 的并联。事实上实际电感器还包含分布电容,但在频率不高 的情况下,由于分布电容的影响较小,故可以忽略。通常用 品质因数Q来表示电容器的损耗大小。图6.3(a)、图63(b)分别 具有如下关系: Q=XRLS=OLRLS Q=RLP/XL=RI 0鸟器测雪与像强 集中参数元件的测量包括伏安法、电桥法和谐振法三种 62伏安法及数字化测量 621伏安法 伏安法,即电压表电流表法,是根据欧姆定律来测量集 中元件参数的。该方法使用方便,但测量精确度较差,仅适 用于低频测量,比较适合直流电阻的测量。 图64(a)、图6.4(b)分别为电流表外接、内接的伏安法测 量集中参数元件原理图。在忽略电压表、电流表内阻影响的 情况下,根据欧姆定律有: =U/ ,墨写鸟影住测雪与像 上 电源 电源 图64伏安法测量原理图 当测量直流电阻时,电源为直流电源,则 R=Z=U/ 当测量电容或电感时,角频率为o的交流电压作为电源, 由电容、电感等效电路的分析可知,二者都可以等效为电阻 与电抗的串联,即阻抗的模值Z为 在忽略损耗电阻影响的情况下,存在关系: 塑,身影园圆包像《 U/=z=√R2+X2≈X XL=OL 上述分析中,均忽略了电压表、电流表内阻的影响,实 际测量的准确度较低。当被测元件阻抗远大于或者可以与电 压表输入阻抗相比拟时,比较适合采用电流表内接的方法; 反之,比较适合采用电流表外接的方法。 由式(6-1)可知,如果测量时保持两个参数不变,而只 改变一个参数,就可以用一个测量仪表进行测量。例如,测 量电容时,保持频率和电压不变,则流过电容器的电流I与电 容C之间存在单值对应的关系,电流表即可以刻度成电容的单 0题员钙整 位,该仪表称为法拉计。 伏安法可以测量19到数百兆欧范围内的电阻以及1pF到 数百微法的电容。 622阻抗的数字化测量 阻抗的测量包括电感、电容、电阻等元器件的测量。阻 抗的数字化测量是利用正弦信号在被测阻抗两端产生交流电 压,然后对电压实部和虚部进行分离,最后利用电压的数字 化测量来实现阻抗的测量。 1.电感元件的测量 图6.5为电感电压(LV)变换器原理图。图中左半部分 为阻抗-电压变换部分;同步检波器实现实部、虚部分离;峰 值检波器完成交-直流电压变换,并提供基准电压。U1、U2、 塑,身影园圆包像《 U都要送到电压表双积分式AD变换器。 经过分析得到 R R (6-2) R 分析式(6-2)、(6-3)可见,因为U、R均为常数,只 要利用双积分式数 字多用表测出U1、 AN 同步检波器 U2来,即可换算出 运放 步检波 U, R