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a电于技术 dianzi 考题类型 1、填空题20分 2、选择题20分 3、简答大概20分 4、计算题大概40分 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 第14章二极管和晶体管 141半导体的导电特性 142PN结 143半导体二极管 144稳压二极管 145半导体三极管 146光电器件 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 第14章二极管和晶体管 本章要求: 1.理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 电流放大作用; 2.了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线,理解主要参数的意义; 3.会分析含有二极管的电路。 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 内容复习 极管的单向导电性 1.二极管加正向电压(正偏,阳极接正、阴极接负)时 二极管处于正向导通状态 二极管正向电阻较小,正向电流较大 二极管加反向电压(反偏,阳极接负、阴极接正)时 极管处于反向截止状态 二极管反向电阻较大,反向电流很小。 3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿,失去单向导 电性 4.稳压二极管工作于反向击穿去区 5.二极管的反向电流受温度的影响,温度愈高反向电流愈 大 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 二极管电路分析方法: 若二极管是理想的:正向导通时正向管压降为零, 反向截止时二极管相当于断开 若非理想情况,正向管压降Up-l0.6-0.7V锗 0.2~0.3V 分析方法 将二极管断开,分析二极管两端电位的高低或所加电 压U的正负。 若V阳V或UD为正(正向偏置),二极管导通 若Ⅴ阳V阴或UD为负(反向偏置),二极管截止 在多个管子的电路中,若都存在V阳V阴,则优先导 通原则:即电压大的管子优先导通,之后据此分析其 他管子。 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 晶体管有三种工作状态 (1)放大区 在放大区L=βIB,也称为线性区,具有恒流特性。 发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置 (2)截止区 lB=0的曲线以下的区域称为截止区。 截止时,发射结反偏,集电结也处于反向偏置(Uc0) (3)饱和区 在饱和区,βIB2,发射结和集电结都处于正偏。 开关作用 当晶体管饱和时,U≈0,发射极与集电极之间如同一 个开关的接通,其间电阻很小;当晶体管截止时,I。≈0 发射极与集电极之间如同一个开关的断开,其间电阻很大, 这就是晶体管的开关作用 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi PN结的主要特性是单向导电性 已知三极管三个脚A、B、C的在线电压分别是VA=11.8V C是_集电极,是c材料的NP型三极管。 在P型半导体中,其多数载流子是空穴,少数载流子 是自由电子 极管的单向导电性为:外加正向电压时导通,外加反 向电压时截止 如果按制造材料分类,二极管可分为锗型和硅型两种 类型 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 如图所示,该晶体管的类型是(A)。 dianzi ANPN型硅管 BPNP型硅管 CNPN型锗管 2V 6 DPNP型锗管 1.3V 下图电路的稳压管ⅴ的稳定电压值为10V,稳定电流为5mA 稳压管正向导通电压07V,输出电压U为(B) A.30V B.0.7V C.10v D.40V 5009 5002U 本征半导体温升高时,空穴数目和自由电子数目B。 A前者增加,后者减少,它们的增量不同。 B两者均增加且增量相同。 C前者减少,后者增加,它们的增量不同 D两者均增加且增量不同。 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 电路如下图所示,设二极管D1,D2,D3的正向压降 忽略不计,则输出电压uo=(A) A -2V B OV C 6V D 12V 在半导体材料中,其正确的说法是(C) AP型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电 BN型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电 CP型和N型半导体材料本身都不带电 D以上说法都不对 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 Vn=2W,v=14V,V=5,则该管类型为(C)。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管 C.NPN型硅管D.PNP型硅管。 章目录上一页下一页返回‖退出 a电于技术 dianzi 用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V V2=1.3V,V3=5V,则三个电极为(C)。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e 章目录上一页下一页返回‖退出