深槽超结型SiC VDMOS功率器件研究.pdfVIP

中文摘要 摘 要 碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， SiC VDMOSFET ，简称SiC VDMOS)是功率半导体器件中拥有巨大潜力的时代新兴功 率器件，使用新型半导体材料碳化硅，凭借其材料本身的多种电学特性，在高压、 高温和高功率器件应用领域具有极为可观的前景。具体表现有高耐压、宽禁带、耐 高温以及高电子迁移率等等。因此，作为最前沿的功率器件之一，对SiC VDMOS 功率器件亟需进行相应的研究而且也具有较大科研意义。 对于功率器件的研究，击穿电压BV 以及导通电阻RON 之间的关系是首先且必 须研究的，通常需要器件拥有较高的BV 和较低的RON ，对于硅材料来说，两者之 间存在一个“硅限” ： RON ∝BV2 .43 ，同样的对于碳化硅也有类似的限制。另外，本 文还特别关注到了SiC VDMOS 特有的高栅氧化层电场的问题，在槽栅的拐角处， 由于栅氧化层与半导体界面处的高斯关系和结构转角处的曲率效应，此处会出现 一个极高的电场，超过了二氧化硅的临界击穿电场，在器件被击穿之前就发生栅氧 击穿，降低了器件的工作稳定性与可靠性。针对此问题，本文提出了深槽结构予以 改善，即在栅极下方将栅氧化层延伸至漏极的衬底处。然后在深槽结构的基础上， 为了解决BV 及RON 间的矛盾对立问题，本文研究了在SiC VDMOS 中加入超结结 构的方案，通过超结对于器件漂移区的纵向电场调节作用，提高器件耐高压能力， 同时解除对漂移区的杂质掺杂浓度的限制，使导通电阻显著地减小。综上即本文所 研究的深槽超结型SiC VDMOS(简称DT-SJ SiC VDMOS)。 在DT-SJ SiC VDMOS 的研究中，使用二维仿真软件对器件的参数性能进行优 化，将其与常规的超结SiC VDMOS(简称C-SJ SiC VDMOS)和C SiC VDMOS 器件 在耐压特性、导通特性、最高栅氧电场、栅电荷和开关特性各个电学特性方面都做 了横向的对比，均实现了性能的提高，新器件结构实现了较为优秀的电学性能表现。 本文所研究的 DT-SJ SiC VDMOS 器件具有击穿电压 2885 V ，导通电阻 1.625 2 -2 mΩ·cm ，品质因数5122 MW·cm ，最高栅氧电场4.79 MV/cm ，栅漏电荷8.75 nC 。 在完成了DT-SJ SiC VDMOS 的设计之后，针对纵向器件中关键的纵向电场进行了 模型分析，运用边界条件求解Possion 方程，得到了器件的电场分布解析模型，并 且在漂移区长度、掺杂浓度和漏极偏压等不同参数下验证了模型的准确性。然后在 电场模型的基础上进一步推导得到了耐压模型，通过仿真拟合，对耐压模型的相关 参数进行校正和优化，得到了误差较小的解析模型，用以更好地指导 DT-SJ SiC VDMOS 的设计。最终本文设计并研究的DT-SJ SiC VDMOS 实现了器件各方面电 I 重庆大学硕士学位论文 学性能的整体提升，同时建立了较为准确的电场模型，为功率器件的研究与设计提 供了可行的改进方案。 关键词：VDMOS ，碳化硅，超结，深槽，耐压模型 II 英文摘要 ABSTRACT Silicon Carbide Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field- Effect Transistor (SiC VDMOSFET, known as SiC VDMOS) is one of the most potential power component for the new