薄膜沉积物理的方法超强总结.pptVIP

薄膜制备物理方法总结 蒸发( Evaporatio n) 物理气相沉积技术V{溅 薄膜‖ Physical vapor Deposition 射( 沉积 离化PVD(离子镀、IBAD、IBD等 的物 理方 分子束外延(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 外延技术 液相外延(LPE, Liquid Phase Epitaxy) Epy热壁外延(HWE,Howa) 蒸发、溅射、离子镀三类基本PVD方法! 真空蒸发沉积 两个关键 1,真空度:P≤10-3Pa(保证粒子具分子流特征,以直线运动) 真空室压力过高,会出现以下情况。a)粒子频繁碰撞,难以匀的薄 膜;b)污染溥膜(轰击基片并吸附) c)蒸发形成均源被氧化 2,基片距离(相对于蒸发源):10~50cm 能使用情况:蒸发时不发生化学变化。 沉积物中杂质的含量与残余气体的压强成正比,与沉积的速度成反比。 真空蒸发沉积 ·二、电阻式蒸发装置:电阻热 ·二、电子束蒸发裝置:电子束轰击 三、电弧蒸发裝置:电弧 ·四、激光蒸发裝置 激光 真空蒸发沉积 :电阻加热蒸发沉积 真空室 蒸发粒子 待蒸发材料 -电咀加热装置 (蒸发舟) 真空泵 电阻加热蒸发沉积装置 真空蒸发沉积 :电阻加热蒸发沉积 用:是制备单质金属、氧化物、介电材料和半导体化合物薄膜最常 的蒸发方法。 缺点 支撑材料与蒸发物之间可能会发生反应,造成污染: 般工作温度在1500~1900°C,所以可蒸发材料受到限制 蒸发率低 加热速度不高,蒸发时待蒸发材料如为合金或化合物,则有可能 分解或蒸发速率不同,造成薄膜成分偏离蒸发物材料成分 真空蒸发沉积 电子束蒸发 发射电子束 O -1k\ 加速(数干伏) 电了車 偏转(横向磁场) 熔化物压 轰击坩埚 薄膜沉积 10k 冷却水 釆用电场(5~10kⅥ)加速获得高能电子束 鳶发物顾 磁场偏转法的使用可以避免灯丝材料的蒸发 时于沉积过程可能造成的污染 电子束蒸发装置示意图 真空蒸发沉积 电子束蒸发 ≯应用场合:适用于高纯度(高真空度)、高熔点、易污染 薄膜材料的沉积。 优点 加热温度高,可蒸发任何材料 可避免来自坩锅、加热体和攴撑部件的污染; 缺点 电子束的绝大部分能量会被坩锅的水冷系统带走,热效 率较低 过高的加热功率会对薄膜沉积系统造成强烈的热辐射 电子枪系统复杂,设备昂贵 真空蒸发沉积 三、电弧放电加热蒸发 1原理 真空泵 将欲蒸发的材料制成放电电 蒸发物质 极,在薄膜沉积时,依靠调 (电极)电弧 节真空室内电极间距的方法 来点燃电弧,而瞬间的高温 m;发 电弧将使电极端部产生蒸发 粒子流 从而实现薄膜的沉积 基片 2方法: 0直流加热法 电源 e交流加热法 电弧加热蒸发装置示意图 真空蒸发沉积 电弧放电加热蒸发 3、主要优点 与电子束蒸发类似,可避免加热体/坩锅材料蒸发污染薄膜; 加热温度高,可沉积难熔金属和石墨(蒸发源即电极,须导 电); 设备远比电子束蒸发简单,成本较低 4、主要缺点: 电弧放电会产生m大小的颗粒飞溅,影响薄膜的均匀性和质 量 5、主要应用:沉积高熔点难熔金属及其化合物薄膜、碳材料薄膜.