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第八章薄膜太陽能電池 授課教師:黄俊傑 薄膜太陽能電池的種類 非晶矽( Amorphus silicon,a-Si) 微晶矽( Nanocrystalline Silicon,ncSi,or Microcrystalline Silicon, uc-Si) CIS/CIGS(銅鍬硒化物) ≯CdTe(碲化鎘) GaAs multijunction(多接面砷化錄) 色素敏化染料(Dye- Sensitized solar cell) 有機導電高分子( Organic/ polymer solar cells 太陽能電池市場堄況 各類太陽能電池市佔比 2001-2005年各類太陽能電池產量 In Te unce 9400 Maticymurw 表一2005年各想型太陽能電池於各區域市场的座量 日本欲湖某他地需合计百比 品的 Monnarystailme Flat Pate 52771999150 ICA-Si an C2 Stltee 神要型[cscs 2cs部豫太隔触悉在告匠域市的量分侮比 直料来型: Crowther n instit:工院Kz07s 太陽能電池效率演進 crystaline Si Cell Thin Film Technologies GuI, Ga)Sex D Amatphoue Sr: H stabilized Mult unction po crys ta in merging网 Weding 非晶矽( Amorphus Silcon,a-Si) 是發展最完整的薄膜式太陽能電池。其結構通常為p-i-n(或 n-i→p)偶及型式,p層跟n層主要座為建立內部電場,I層則由 非晶系矽構成。非晶矽的優點在於對於可見光譜的吸光能力很 強,而且利用濺鍍或是化學氣相沉積方式生成薄膜的生產方式 成熟且成本低廉,材料成本相對於其他化合物半導體材料也便 宜許多:不過缺點則有轉換效率低(約57%),以及會產生嚴重 的光劣化現象的問題,因此無法打入太陽能發電市場,而多應 用於小功率的消費性電子產品市場。不過在新一代的非晶矽多 接面太陽能電池( MultijuctionCe11)已經能夠大幅改善純非晶 矽太陽電池的缺點,轉換效率可提升到68%,使用壽命也獲得 提昇。未來在具有成本低廉的優勢之下,仍將是未來薄膜太陽 能電池的主流之一。 資料來源:BP2002· World Nuclear association 微晶矽(nc-Si,uc-Si) 微晶矽其實是非晶矽的改良材料,其結構介於非晶矽和晶 體矽之間,主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子 因此同時具有非晶矽容易薄膜化,製程便宜的特性,以及 晶體矽吸收光譜廣,且不易岀現光劣化效應的優點,轉換 效率也較高。目前已有將a-Si和nc-Si疊層後製成的薄膜太 陽能電池商品(由日本 Sanyo硏發成功),可鍍膜在一般窗戶 玻璃上,透光的同時仍可發電,因此業界廣泛看好將是未 來非晶矽材料薄膜太陽電池的的發展主流。 CIS/CIGS(銅鋼硒化物) CIS( Copper IndiumDiselenide)或是 cIGs( opper IndiumGalliumDiselenide)都屬於化合物半導體。 這兩種材料的吸光(光譜)範園很廣,而且穩定性也相當好。轉」 換效率方面,若是利用聚光裝置的輔助,目前轉換效率已經可 達30%,標凖環境測試下最高也已經可達到19.5%,足以媲美單 晶矽太陽電池的最佳轉換效率。在大面積製程上,採用軟性塑 膠基板的最佳轉換效率也已經逹到14.1%。由於穩定性和轉換效 率都已經相當優異,因此被視為是未來最有發展潛力的薄膜太 陽能電池種類之 CdTe(碲化鎘) CdTe同樣屬於化合物半導體,電池轉換效率也不差:若使用耐 高溫(600度C)的硼玻璃作為基板轉換效率可達16%,而使用不 耐髙溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達到12%的轉換效率 轉換效率遠優於非晶矽材料。此外,CdTe是二元化合物,在薄 膜製程上遠較CIS或CIGS容易控制,再加上可應用多種快速成膜 技術(如蒸鍍法),模組化生產容易,因此容易應用於大面積建 材,目前已經有商業化產品在市場行銷,轉換效率約11%。不過, 雖然CdTe技術有以上優點,但是因為鎘已經是各國管制的高 染性重金屬,因此此種材料技術未來發展前景仍有陰影存在 GaAs Multijunction(多接面砷化鲸) 在單晶矽基板上以化學氣相沉積法成長GaAs薄膜所製成的薄膜 太陽能電池,因為具有30%以上的高轉換效率,很早就被應用 於人造衛星的太陽能電池板。新一代的GaAs多接面(將多層不 同材料疊層)太陽能電池,如GaAs、Ge和 Galnpe三接面電池, 可吸收光譜範圍極廣,轉換效率目前已可髙達39%,是轉換效 率最