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集成电路工艺 电子科学与技术 信息学院 本门课程共分几大块来介绍 绪论 主要介绍微电子器件工艺的发展历史,集成电路的发展历史及 工艺实例。 二、硅的晶体结构 主要介绍硅晶体的特点,晶向,晶面,缺陷,杂质等等 三、热处理及离子注入 氧化,扩散,离子注入工艺 ·四、薄膜工艺 物理气相淀积,化学气相淀积,外延工艺 ·五、图形转移工艺 光刻与刻蚀 ·六、工艺集成 金属化与多层互连,工艺集成 ·七、后工艺,测试 减薄,蒸金,划片,烧结,键合,封装,测试 集成电路工艺分几大块技术 图形转移:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 光刻:接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻等 刻蚀:干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂:根据设计的需要,将适量的各种杂质掺杂在需要的位置上,形成晶体管、接触等 离子注入 退火 扩散 制膜:制作各种材料的薄膜 氧化:干氧氧化、湿氧氧化等 CVD: APCVD、 LPCVD、 PECVD PVD:蒸发、溅射 集成电路制备主要工艺及设备 晶片制备 2前道工艺 3.后道工艺 1.晶片制备 1.1单晶拉伸:在适当的温度下,将特制 的籽晶与熔化于坩埚内的高纯多晶材料 相接触,在籽晶与坩埚相对旋转的同时, 按一定速度向上提拉籽晶,使熔体不断 沿籽晶晶向结晶,直接拉制成单晶。 相关设备单晶炉 1.2切片:将半导体单晶按所需晶向切割 成指定厚度的薄片 相关设备内圆切片机多刀切割机 倒角:由于刚切下来的晶片外边缘很 锋利,硅单晶又是脆性材料,为避免边 角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光 洁和对后工序带来污染颗粒,必须用专 的设备自动修整晶片边缘形状和外径 相关设备倒角机 1.4抛光:利用抛光剂对研磨后的晶片进行物 理、化学的表面加工,以获取无晶格损伤的高 洁净度、高平整度的镜面晶片。 相关设备单/双面抛光机单/多头抛光 机 1.5清洗:合理的清洗是保证硅片表面质量的 重要条件。在晶片制备过程中需要多次清洗, 以去除残留在晶片表面或边缘的废屑等 相关设备清洗机冲洗甩干机 2.前道工艺 2.1外延:在单晶衬底晶片上生长一层具 有与基片不同电子特性的薄硅层。 相关设备外延炉 2.2氧化:在高温下,氧和水蒸气跟硅表面 起化学作用,形成薄厚均匀的硅氧化层 相关设备氧化炉 2.3化学汽相淀积(CVD):使一种或数 种物质的气体以某种方式激活后,在衬 底表面发生化学反应,并淀积所需固体 薄膜 相关设备CVD设备 2.4溅射:正离子受强电场加速,形成高 能量的离子流轰击靶材,当离子的动能 超过靶原子的结合能时,靶表面的原子 就脱离表面,溅射到对面的阳极上,淀 积成薄膜 相关设备溅射