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量子阱和超晶格 2015年11月28日 半导体超晶格和量子阱 §1引言 §2超晶格和量子阱的一般描述 §3超晶格量子阱中的新现象 §4超晶格量子阱的光学性质 §6超晶格和量子阱器件 蕌 参考书 半导体超晶格物理学”夏建白等,上海科学出版社,1994 半导体超晶格-材料与物理”黄和鸾等,辽宁大学出版社,1991 半导体异质结物理”虞丽生,科学出版社,2006 §1引言 1970年IBM公司江崎(Esak),朱兆祥(su): Super/attice and Negati ve Deferentia/ Conductivity in Semiconductors”, 周期性地外延生长半导体超晶格:微带结构,布里渊区大 大缩小,负微分电导。 1971年第一个GAs/Al2Ga13As人工周期结材料 L. Esak/, L.L. Chang. R. su, 12th Low Temp. Phys Kyoto, Japan P.55” ·1972年观察到负微分电导,输运的振荡现象,微带结构。 随后,新颖的物理现象被揭示,新理论被提岀,与之相应的高 性能的新型器件被研究和开发。 ·直条影区指具有相 近晶格常数但不同 能隙宽度的材料 Te 在区内材料原则上 都可组成异质结超图 晶格 图中的连线是指这 InSb 些材料都可形成特0 定的合金 5.6 低温下具有金刚石、闪锌矿结构半导体 与晶