西电硅工艺模拟作业.docxVIP

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2020-09-14 发布于天津
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西电硅工艺模拟作业.docx

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工艺虚拟仿真测验作业李晓晨改变氧化时间工艺模拟上面四幅图片从左至右从上至下分别为氧化时间的鸟嘴形貌从图中可以看出在氧化时间为时没有鸟嘴效应但随着氧化时间的逐渐增大鸟嘴效应越来越明显在氮化硅和硅中间挤出了越来越多的二氧化硅因为氧会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出氧化硅随着时间的推移扩散的程度越明显鸟嘴就越明显改变衬垫氧化层厚度工艺模拟上面四幅图从左至右从上至下依次为其他条件固定衬垫氧化层厚度分别为微米微米微米微米的鸟嘴形貌从图中可以看出当衬垫氧化层厚

工艺虚拟仿真测验作业李晓晨改变氧化时间工艺模拟 Dr* BV* 10?m 4iTM — Ah-EfM02 — Dr* BV* 10?m 4iT M — Ah-EfM 02 — 上面四幅图片从左至右，从上至下分别为0min、10min、40min、90min氧化时间的鸟嘴形貌。从图中可以看出在氧化时间为0min时，没有鸟嘴效应，但随着氧化时间的逐渐增大，鸟嘴效应越来越明显，在氮化硅和硅中间挤出了越来越多的二氧化硅。因为氧会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散，在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出氧化硅。随着时间的推移，扩散的程度越明显，“鸟嘴”