5.2 晶体三极管的高频模型--混合π模型（9-10）.pdf

9/68 5.2 晶体三极管的高频模型 1. 晶体三极管高频物理模型-混合模型 rbb’ ：基区的体电阻，b′是假想的基区内 的一个等效集中点。对高频影响很大，数 值十几~几十欧姆。 rb′e和Cb′e ：发射结等效交流电阻和结电容。 rb′c和Cb′c :集电结等效交流电阻和结电容。 gm Ub′e ：受控电流源，Ub′e对输出电流的控 制作用。g 是跨导，g I / U 。 m m c b′e 双极型三极管物理模型 rce ：受控电流源内阻，很大一般可忽略。 10/68 如果忽略 rce和rb’c