宽禁带半导体ZnO材料的调研全版.pptVIP

由于其禁带宽度、晶格常数和GaN非常相近，所以ZnO和GaN可以互为缓冲层来生长出高质量的GaN或ZnO薄膜。 同时ZnO室温下的禁带宽度为 3.37eV，与GaN(3.4eV)相近而他的激子束缚能远大于GaN( 25meV)等材料，因此在蓝紫光器件方面的应用比其它半导体更有潜力,产生室温短波长发光的条件更加优越。 0.0 * ZnO是一种理想的短波长发光器件材料。能以带间直接跃迁的方式获得高效率的辐射复合。ZnO薄膜还具有较低的激射阈值，这主要是由于ZnO很高的激子束缚能(室温下为60meV)可以大大降低低温下的激射阈值，而且在室温下适当的激发强度，ZnO激子间的复合可取代电子-空穴对的复合，因而可预期一个低的阈值来产生受激发射。 ZnO的紫外受激发射中主要是紫外光波段、蓝绿光波段的发射。ZnO紫外光发射的主要机理是带间跃迁和激子复合。 ZnO基光电探测器。紫外光、蓝光等发光器件。光电探测器是一种把光辐射信号转变为电信号的器件，其工作原理是基于光辐射与物质的相互作用所产生的光电效应。 0.0 * ZnO的光学透明性是由宽禁带引起的。ZnO带隙宽，对可见光和红外光吸收很小，基本上是透明的。 ZnO的导电性主要不是依赖本征激发，而是靠附加能级的电子或空穴激发。 具有光学透明特性的宽禁带氧化物半导体材料，一般都是绝缘体，但ZnO既有高透明性又有导电性。因此，ZnO材料在制备透明导电薄