存储器存储实验.docVIP

PAGE 第PAGE 4页 课程名称：计算机组成原理 开课实验室： 2018年3月26日 年级、专业、班 学号 姓名 成绩 实验项目名称 存储器存储实验 指导教师 教 师 评 语 该同学是否了解实验仪器原理：A.了解□　　B.基本了解□　C.不了解□ 该同学的实验能力： A.强　□ B.中等 □ C.差 □ 该同学的实验是否达到要求 ： A.达到□　 B.基本达到□　C.未达到□ 实验报告是否规范： A.规范□　 B.基本规范□　C.不规范□ 实验过程是否详细记录： A.详细□　 B.一般 □　C.没有 □注：5个A 为优 4个A为良 3个A 为及格 其余为不及格。 教师签名： 年 月 日 实验一、存储器存储实验 实验目的 掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读/写方法 ； 实验原理及基本技术路线图（方框原理图） 1.在此实验中，半导体静态存储器的芯片规格为6116（2KX8），有三根 控制线，分别是片选线CE、读线OE、写线WE。其数据线接至数据总线，地 址锁存器（74LS273）给出地址线。 2.数据开关经过三态门，并且到达总线。地址灯AD7…AD0与地址线相连， 可以通过观察地址灯来观察存储的地址。 3.当进行读写操作时，必须设置控制端CE=0，WE=0（WE=1），同时在T3 传递脉冲过来。当片选有效（CE=0）时，OE=0则进行读操作，WE=0则进行 写操作。 4.实验时，需要将T3脉冲连接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔 中。脉冲宽度调到中层。SW-B（三态门）为低有效电频， LDAR为高有效电频。 三、所用仪器、材料（设备名称、型号、规格等） （1）、TDN-CM+或 TDN-CM++教学实验设备一套。 （2）、PC机（或示波器）一台。 四、实验方法、步骤 (1) 形成时钟脉冲信号T3。具体接线方法和操作步骤如下： ① 接通电源，用示波器接入方波信号源的输出插孔H23，调节电位器W1 及W2 ，使H23 端输出实验所期望的频率及占空比的方波。 ② 将时序电路模块（STATE UNIT）单元中的ф和信号源单元（SIGNAL UNIT）中的H23 排针相连。 ③ 在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP” 。将“STOP” 开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“EXEC”状态时，按动微动开关START， 则TS3端即输出为连续的方波信号，此时调节电位器W1，用示波器观察，使 T3 输出实验要求的脉冲信号。当“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP” 开关置为“STEP”状态时，每按动一次微动开关START，则T3 输出一个单 脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。 （2）脉冲信号设置好之后， 按右图连接实验线路，仔细查线 无误后接通电源。 （3）写存储器：给存储器的00、01、02、03、04 地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15。 由上面的存储器实验原理图看出，由于数据和地址全由一个数据开关来给出，这就要分时地给出。下面的写存储器要分两个步骤，第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写存储单元的地址，按动START 产生T3 脉冲将地址打入到地址锁存器，第二步写数据，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），打开存储器片选，使处于写状态（CE=0，WE=1），由开关给出此单元要写入的数据，按动START 产生T3 脉冲将数据写入到当前的地址单元中。写其它单元依次循环上述步骤。 写存储器流程如下：（以向00 号单元写入11 为例,12、13、14、15同理） 读存储器：读出之前存入的内容 依次读出第 00、01、02、03、04 号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，读每个单元也需要两步，第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写存储单元的地址，按动START 产生T3 脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步读存储器，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），关掉数据开关三态门（SW-B=1），片选存储器，使它处于读状态（CE=0，WE=0），此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读其它单元依次循环上述步骤。读存储器操作流程如下：（以从00 号单元读出1 1 数据为例） 五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等) 实验过程中，在连接