精选气敏传感器结构.ppt

︵。︵ 课程内容 Course Contents 《传感器应用技术》 《传感器应用技术》 THANK YOU 本节从 气敏传感器基本结构、半导体型气敏传感器结构、接触燃烧型气敏传感器结构、电化学气敏传感器结构四个方面学习气敏传感器结构 气敏传感器主要由双层金属网罩、气敏元件、电极引线、外套、封装基座、端子组成；其电路结构主要由1、2端子间引出气敏元件、3、4端子之间为测量电极。 电阻型半导体气敏传感器——烧结型 以多孔质陶瓷如Sn02为基材，添加不同物质采用低温(700～900℃)制肉方法进行烧结，烧结时埋人铂电极和加热丝，最后将电极和加热丝引线焊在管座上制成元件。由于制作简单，它是一种最普通的结构形式，主要用于检测还原性气体、可燃性气体和液体蒸气，但由于烧结不充分，器件的机械强度较差，且所用电极材料较贵重，电特性误差较大。 烧结型直热式 直热式器件是将加热丝、测量丝直接埋入Sn02或Zn0等粉末中烧结而成的，工作时加热丝通电，测量丝用于测量器件阻值。这类器件制造工艺简单、成本低、功耗小，可以在高电压回路下使用，但热容量小，易受环境气流的影响，测量回路和加热回路间没有隔离而相互影响。国产QN型和日本费加罗109型气敏传感器均属此类结构。 旁热式气敏器件的特点是将加热丝放置在一个陶瓷管内，管外涂梳状金电极作测量极，在金电极外涂上Sn02等材料。 旁热式气敏传感器克服了直热式结构的缺点，使测量极和加热极分离，而且加热丝不写气敏材料接触，避免了测量回路和加热回路的相互影响，器件热容量大，降低了环境温度对器件加热温度的影响，所以这类结构器件的稳定性、可靠性都较直热式器件的好，国产QM-N5型和日本费加罗TGS# 812、813型等气敏传感器都采用这种结构。 电阻型半导体气敏传感器薄膜型气敏元件 是用蒸发或溅射方法，在石英或陶瓷基片上形成金属氧化物薄膜（厚度在100 nm以下），用这种方法制成的敏感膜颗粒很小，因此具有很高的灵敏度和响应速度。敏感体的薄膜化有利于器件的低功耗、小型化，以及与集成电路制造技术兼容，所以是一种很有前途的器件。 厚膜型气敏元件，将气敏材料(Sr102、Zn0)与一定比例的硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，把厚膜胶用丝网印刷到事先安装有铂电极的氧化铝的基片上，在400—800℃的温度下烧结1-2小时便制成厚膜型气敏元件。用厚膜工艺制成的器件一致性较好，机械强度高，适于批量生产。 非电阻型气敏器件是利用MOS二极管的电容一电压特性的变化，以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等物性而制成的气敏元件。此类器件的制造工艺成熟，便于器件集成化，因而其性能稳定且价格便宜。利用特定材料还可以使器件对某些气体特别敏感。 MOS二极管气敏器件制作过程是在P型半导体硅片上，利用热氧化工艺生成一层厚度为50-100 nm的Si02层，然后在其上面蒸发一层钯(Pd)的金属薄膜，作为栅电极。由于S102层电容Ca固定不变，而Si和S102界面电容C。是外加电压的函数(其等效电路如图所示），因此总电容C也是栅偏压的函数。其函数关系称为该类MOS二极管的C-U特性。由于钯对H特别敏感，在钯吸附了H2以后，钯的功函数会降低，导致MOS管的C-U特性向负偏压方向平移，如图10-6曲线所示。根据这一特性就可测定H2的浓度。 钯-MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET)的结构。Pci对H2有很强的吸附性，当H2吸附在Pd栅极上时，Pd的功函数会降低。Pd-MOSFET气敏元件利用H2在钯栅极上吸附后引起UT下降的特性检测H2浓度。 钯-MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET)的结构。Pci对H2有很强的吸附性，当H2吸附在Pd栅极上时，Pd的功函数会降低。Pd-MOSFET气敏元件利用H2在钯栅极上吸附后引起UT下降的特性检测H2浓度。 化学传感器的工作核心是恒定电位电解式传感器,它是一种湿式气体传感器。它是用透气性隔膜、工作电极、对电极、参照电极和电解质溶液组成的密封结构的合成树脂容器。电路的功能是加电压于传感器电解液中的两个电极，使所测气体进行氧化或者还原,测量气体电解时产生的电流然后推算出气体的浓度。加在传感器上的恒定电位称为给定电位,但由于传感器的阻抗随其结构而定，故检测到气体并产生电解电流时,给定电位就会发生变化。 1. 气敏传感器基本结构 气敏传感器结构 2. 半导体型气敏传感器结构 3. 接触燃烧型气敏传感器结构 4. 电化学气敏传感器结构 一、气敏传感器基本结构 图1气敏传感器外观结构 图2气敏传感器电路符号 二、半导体型气敏传感器结构 1.电阻型半导体气敏传感器——烧结型 工艺：以多孔质陶瓷如Sn02为基材，添加不同物质采用低温(700-900℃)进行烧结，烧结时埋入铂电极和加热丝，最后将电