新型存储材料与设备在企业数据存储中的应用展望.pdf

新型存储材料应用展望 万胜刚 华中科技大学计算机学院存储所 武汉光电国家实验室存储部 教育部信息存储重点实验室 国家信息存储专业实验室 传统存储层次结构与介质 内存: 低访问时延，易失 CPU缓存 （SRAM ） 主存（DRAM） 外存：高访问时延，非易失 磁盘 磁带 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 2 面临的问题 性能 可靠性 能耗/碳排放 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 3 解决方案——新型存储器件与设备 MRAM PCM NAND Flash Optical Discs 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 4 MRAM & STT_MRAM SRAM与DRAM级的访问时延（1~50纳秒） 非易失性（Retention Time：10年） 擦写次数（>1015 ） 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 5 部署层次与应用实例 SRAM DRAM MRAM & STT-MRAM 磁盘 实例1：SpriteSat卫星 磁带 实例2：Airbus A350 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 6 PCM DRAM级的访问时延（10~100纳秒） 非易失性（Retention Time：10年） 8 擦写次数（>10 ） 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 7 部署层次与应用实例 SRAM DRAM 磁盘 PCM 磁带 实例：Samsung手机 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 8 NAND Flash 低访问时延（10~1000微秒） 非易失性（Retention Time：10年） 擦写次数（100~100000） 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验