直接和间接带隙半导体[文字可编辑].ppt

直接和间接带隙半导体 主要内容 ? 半导体定义及其性质 ? 什么是带隙 ? 直接带隙和间接带隙半导体的性质、区别 ? 半导体的应用 ? 半导体的发展趋势 什么是半导体 ? 半导体 ：电阻率介于金属和绝缘体之间并有 负的电阻温度系数的物质称为半导体 , 换句话 说半导体是导电性可受控制，范围可从绝缘 体至导体之间的材料。 常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等， 而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上 最具有影响力的一种。 半导体的导电性 材料的导电性是由“ 导带 ”（ conduction band ） 中含有的电子数量决定。当电子从“ 价带 ” （ valence band ）获得能量而跳跃至“导带”时， 电子就可以在带间任意移动而导电。 常见的金属材料其导电带与价电带之间的“ 能 量间隙 ”非常小，在室温下电子很容易获得能量而 跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大 （通常大于 9 电子伏特），电子很难跳跃至导电带， 所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为 1 至 3 电子伏特，介 于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能 量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。 半导体的能带分布结构 根据能带理论，电子主要分布在满价带，当半导体受到温度影 响时，满价带的电子会被激发到导带上，在价带上留下空轨道， 这些空轨道就是空穴。温度越高，电子被激发到空导带的概率 越大。导带上的电子和价带上的空穴决定了半导体的导电能力。 什么是带隙？ 带隙就是导带的最低点和价带的最高点的能量之差（ Eg ） 本征光的吸收 ? 半导体吸收光子使电子由价带激发到导带， 形成电子 - 空穴对的过程就叫本征光吸收。 ? 光子能量满足的条件是： ? 准动量守恒条件是： g E ? ? h photon k k p ? ? ? r r r h h 两种跃迁方式 ? 1. 竖直跃迁（直接光吸收过程） 对应于导带底和价带顶在 k 空间相同点的情况 跃迁需满足准动量守恒 光子的波矢 2π/ λ ~10 4 cm -1 价带顶部电子的波矢2π/a~10 8 cm -1 因此可以忽略光子动量， 在此次跃迁中，电子的波矢可以看作是不变的。我们称之为竖直跃 迁，这种半导体我们称之为直接带隙半导体。 能量守恒： ' photon k k p ? ? r r h h ' k k ? r r h h g E ? ? h 2. 非竖直跃迁（间接光吸收过程） 对应于导带边和价带边在 K 空间不同点的情况 由上图可以看出，单纯吸收光子从价带顶跃迁到导带底，电子 在吸收光子的同时伴随着吸收或者发出一个声子。 满足能量守恒： 声子的能量 , 可忽略不计，所以 准动量守恒： 声子的准动量和电子的准动量数量相仿，同样的，不计光子的 动量，我们有 即光子提供电子跃迁所需的能量，声子提供跃迁所需要的动量 k E ? ? ? ? ? h h 2 ~ ~ 10 B D k eV ? ? ? h k E ? ? ? h ' photon k k p q ? ? ? r r r h h h ' k k q ? ? ? r r r h h h k E ? ? ? h ' k k q ? ? ? r r r h h h 直接带隙半导体 （ DIRECT GAP SEMICONDUCTOR ） ? 导带边和价带边处于 k 空间相同点的半导体通 常被称为直接带隙半导体。电子要跃迁到导带 上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只 需要吸收能量。 ? 直接带隙半导体的例子： GaAs 、 InP 、 InSb 等。 间接带隙半导体 ? 导带边和价带边处于 k 空间不同点的半导体通 常被称为间接带隙半导体。形成半满能带不只 需要吸收能量，还要改变动量。 ? 间接带隙半导体： Ge,Si 等 ? 在间接带隙半导体中发生的非竖直跃迁是一个 二级过程，发生的几率比竖直跃迁要小得多 Indirect gap semiconductor In English ？ 直接带隙半导体的重要性质 ? 直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时， 电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着 电子在跃迁过程中，动量可保持不变 —— 满足动量守恒定 律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合） 时，也可以保持动量不变 —— 直接复合，即电子与空穴只 要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。 因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时， 这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为 没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子） —— 发光 效率高（这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导 体来制作的根本原因）。 间接带隙半导体的重要性质 ? 简单点说，从能带图谱可以看出，间接带隙半导