材料物理09 铁电薄膜.pptVIP

铁电薄膜 Ferroelectric Thin Film 陕西科技大学材料科学与工程学院 1 铁电薄膜的定义 具有铁电性、且厚度在数十纳米至数微米的薄膜材料 2 铁电薄膜按物理效应应用的分类 Shaanxi University of Science Technology * pu@physik.uni-halle.de School of Materials Science Engineering, 2011 授课教师：蒲永平 介电性、铁电开关效应、压电效应、热释电效应、电光效应、声光效应、光折变效应和非线性光学效应，可以单独利用上述诸效应制作出不同的功能器件，也可综合利用两个或两个以上的效应制作多功能器件、集成器件或机敏(smart)器件； 铁电薄膜具有的性质： 2 铁电薄膜材料 集成光学上 电光材料 光电子学 电光、弹光及非线性光学 铁电随机存取存储器 铁电随机存取存储器(FRAM) Application 你做的 LiNbO3，LiTaO3类 [(Sr1-xBax)Nb2O6] SBN KTaxNb1-xO3 KTN 化学组成复杂 (Pb,La)(Zr,Ti)O3铁电薄膜 PLZT 抗疲劳特性 铋系层状结构SrBi2Ta2O9 SBT 耐疲劳性能较差以及铅问题 Pb(Zr,Ti)O3基铁电薄膜 PZT Note Name 3 铁电薄膜的制备方法 3.1 溅射法 优点: 能够以较低的成本制备实用的大面积薄膜，制膜可使用陶瓷靶材，也可在氧气气氛中使用金屑或合金靶材通过反应溅射获得所需薄膜。 PZT，SBT(SrBi2Ta2O9)和BST(Sr,Ba)TiO3 缺点： 在溅射过程中各组元的挥发性差别很大，膜的成分和靶的成分有较大偏差，而且偏差大小随工艺条件而异，这使摸索工艺和稳定工艺较为困难。 3.2 脉冲激光沉积(PLD)法 优点: 膜的化学成分和靶的化学成分很接近，因而特别适用于制备复杂氧化物薄膜，包括铁电薄膜、高温超导薄膜和磁性薄膜； PZT，PLZT，BST等多种铁电薄膜 缺点： 膜表面上常有细微液滴凝固形成的颗粒状突起而使表面质量不甚理想，也不易于制备大面积薄膜。 3.3 溶胶一凝胶法 优点: 可获得分子水平的均匀膜，设备简单，成本低，可制备大面积薄膜。 PZT，PLZT和SBT等薄膜 缺点： 膜的致密性差，常有针孔等缺陷导致漏电导，表面平整度也不太理想。 3.4 化学气相沉积（CVD)法 优点: 这种方法的特点是在材料通过化学反应合成的同时成膜，其中又以金属有机物化学气相沉积(MOCVD)用途最广。利用MOCVD可以制备面积较大、结构致密、结晶性良好的薄膜，包括外延单晶膜。MOCVD已发展成为制备铁电薄膜的重要方法。并可能发展成为工业生产用铁电薄膜制备技术。 PZT，PLZT和SBT等薄膜 缺点： 对一些重要的铁电薄膜材料，所需的具有足够高饱和蒸气压的金属有机物前驱体尚难合成，因而影响了该技术的充分发挥。 3.5 激光分子束外延法 铁电薄膜、超导薄膜、铁电／铁电异质结薄膜以及铁电／超导异质结薄膜，并可实现超晶格制备和薄膜的外延生长 激光分子束外延(L-MBE)是近年来发展起来的一种新的薄膜制备技术，它将传统MBE的超高真空、原位监测的优点和脉冲激光沉积的易于控制化学成分、使用范围广等优点结合起来，在生长、探索人工控制多层膜的新材料方面具有独到之处。 3 铁电薄膜的制备方法 由于薄膜制备技术的发展，使得在较低的衬底温度下沉积高质量的外延或择优取向的铁电薄膜成为可能，从而使铁电薄膜工艺技术与半导体工艺技术的兼容成为可能。 铁电材料及器件的研究与开发的两个重要变化： 由单晶器件向薄膜器件发展； 由分立器件向集成化器件发展。 在这种集成化器件中，铁电薄膜已成为硅或砷化镓集成电路中的一个集成部分。 集成铁电器件的基本结构： 半导体芯片(衬底)+铁电薄膜(元件) 4集成铁电学(Integrated ferroelectrics) 铁电薄膜异质结构的重要进展： (1)采用新的异质结构制备技术，包括低温溅射、多靶溅射、多靶PLD、激光MBE等，能制备出界面清晰的异质结构； (2)界面研究日趋深入，包括界面反应，界面电子输运、界面态及界面附近的化学成分等； (3)在铁电薄膜／衬底及(或)铁电薄膜／电极之间添加缓冲层．制备多层膜和外延异质结构，用以改善铁电薄膜的电性能，取得了比较满意的结果； (4)采用具