半导体物理试卷试题汇总.doc

半导体物理学考题 A (2010 年 1 月 )解答 一、（ 20 分）简述下列问题 : 1．（ 5 分）布洛赫定理。 解答： 在周期性势场中运动的电子，若势函数 V(x) 具有晶格的周期性，即： V ( x na ) V ( x )， 则晶体中电子的波函数具有如下形式： ( x ) eikx uk ( x ) ，其中， uk ( x ) 为具有晶格周期性的 函数，即： u ( x na ) u ( x ) E EC k k 2．（ 5 分）说明费米能级的物理意义； 试画出 N 型半导体的费米能级随温度的变化曲线。 解答： 费米能级 EF 是反映电子在各个能级中分布情况的参数。 能量为 EF 的量子态被电子占据的几率为 1/2。 E d F N 型 Ei E V N 型半导体的费米能级随温度变化曲线如右图所示： （ 2 分） T 3、（ 5 分） 金属和 N 型半导体紧密接触，接触前，二者的真空能级相等， W M W S 。试画出金属— 半导体接触的能带图，标明接触电势差、空间电荷区和内建电场方向。 解答： Ei E C EFM eV0 EFN E v x 4．（ 5 分）比较说明施主能级、复合中心和陷阱在半导体中的作用及其区别。 解答： 施主能级：半导体中的杂质在禁带中产生的距离能带较近的能级。可以通过杂质电离过程向半导体导 带提供电子，因而提高半导体的电导率； （ 1 分） 复合中心： 半导体中的一些杂质或缺陷， 它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级， 非平衡载流子（电子和空穴）可以通过复合中心进行间接复合，因此复合中心很大程度上影响着非平衡载 流子的寿命。（ 1 分） 陷阱：是指杂质或缺陷能级对某一种非平衡载流子的显著积累作用，其所俘获的非平衡载流子数目可 以与导带或价带中非平衡载流子数目相比拟。陷阱的作用可以显著增加光电导的灵敏度以及使光电导的衰 减时间显著增长。 （1 分） 浅施主能级对载流子的俘获作用较弱；有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相差不大，而且，其对 非平衡载流子的俘获几率要大于载流子发射回能带的几率。一般说来，只有杂质的能级比费米能级离导带 底或价带顶更远的深能级杂质，才能成为有效的复合中心。而有效的陷阱则要求其对电子和空穴的俘获几 率必须有很大差别，如有效的电子陷阱，其对电子的俘获几率远大于对空穴的俘获几率，因此才能保持对 电子的显著积累作用。一般来说，当杂质能级与平衡时费米能级重合时，是最有效的陷阱中心。 （2 分） 二、（ 15 分）设晶格常数为 a 的一维晶格， 导带极小值附近的能量 E c ( k ) 为： E c ( k ) 2 k 2 2 ( k k1 )2 3m m 2 k12 3 2 k 2 价带极大值附近 E v ( k ) 为： E v ( k ) m 6 m 式中 m 为电子质量， k 1 求出：⑴．禁带宽度；  a ⑵．导带底电子的有效质量和价带顶空穴的有效质量； ⑶．导带底的电子跃迁到价带顶时准动量的改变量，能量的改变量。 解答： ⑴ . 求禁带宽度 Eg（7 分） 根据 dEc (k ) 2 2k 2 2 (k k1 ) , 可求出对应导带能量极小值 Ec-min 的 k 值 dk 3m 0 m 3 ，则 Ec min k c mink 1 4 6 2k 根据 dE v (k ) dk m k v max 0 ，则 E v max  2 Ec ( k ) k kc min k12 4m 0 , 可求出对应价带能量极大值 Ev-max 的 k 值 2 Ev (k ) k k v max k12 6m 则 2 2 2 2 h 2 E c min E v 12m k 1 12ma 2 48ma2 Eg max ⑵．求导带底电子有效质量（ 3 分） d 2 Ec (k ) 2 2 2 2 8 2 * 2 d2 E c (k ) 3 dk 2 3m m ，则 m n / 2 m 3m dk 8 求价带顶空穴有效质量（ 3 分） d 2 E v (k ) 6 2 ， m*p mn* 2 / d 2 Ev ( k )1 m dk 2 m dk 2 6 ⑶．准动量改变量： （ 2 分） k ( kv max kc min ) 3 k1 3 3h 4 4a 8a 能量改变量：＝－ Eg＝－ 2 2 h 2 12ma 2 48ma2 三、 (10 分 )一个有杂质补偿的硅半导体，已知掺入的受主浓度 N a 10 15 cm 3 。设室温下费米能级恰好 与施主能级 Ed 重合，电子浓度 n 5 10 15 cm 3 ，试求出： （ 1）平衡少子浓度； （ 2）样品中的施主浓度 N d（设