国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法.docVIP

GB ××××—×××× GB ××××—×××× PAGE PAGE 1 ICS 77.040H17XXXX-XX-XX实施XXXX-XX- XX 发布碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法Determination ICS 77.040 H17 XXXX-XX-XX实施 XXXX-XX- XX 发布 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry （预审稿） （在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上） GB/T XXXXX-XXXX 中华人民共和国国家标准 GB ××××—×××× GB/T XXXXX-XXXX PAGE II PAGE 5 前 言 本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：中国电子科