国家标准-碳化硅单晶抛光片-编制说明.docxVIP

PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶抛光片》 编制说明（征求意见稿） 工作简况 立项目的和意义 随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，可以突破硅作为基片的半导体器件性能和能力极限，是电力电子及微波射频器件的“CPU”、绿色经济的“核芯”，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。 GB/T 30656-2014《碳化硅单晶抛光片》国家标准中只包含2英寸（50.8mm）、3英寸（76.2mm）和4英寸（100.0mm）碳化硅单晶抛光片的要求。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，目前国内6英寸（150.0mm）碳化硅单晶抛光片已经面世，并且其产量在快速增长，同时2英寸、3英寸和4英寸碳化硅单晶抛光片质量也得到进一步提升。在这种情况下，需要及时增加6英寸碳化硅单晶抛光片的相关内容并对2英寸、3英寸和4英寸碳化硅单晶抛光片质量标准进行修订，因此对GB/T 30656-2014《碳化硅单晶抛光片》进行修订。 任务来源 根据《国家标准化管理委员会关于下达2020年推荐性国