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工组织设计方案
硅/氮化硅层淀积→α-硅光刻→ITO 膜溅射→ITO 膜光刻→源/漏级金属溅射→源/漏级
金属光刻→n+α-硅反刻→氮化硅淀积→绝缘层刻蚀→退火→检查
成盒工艺流程：投入阵列和滤光玻璃基板→配向膜印刷→框胶图敷、垫料→滴入液晶→
真空贴合→盒分割→贴偏光片→检查
19.1.3 工程特点及主要工程量：
（1）工程特点：该工程机电系统复杂，净化厂房面积为 1 万二千平方米，净化级别分别为
十级、百级和千级，动力系统包括大宗气体、特种气体、工艺冷却水、工艺真空、化学品等
项目，
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