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《电工电子学》 期末复习题(下篇)
本复习题使用说明: 复习题内容是按照 知识点编写的非按章节编写请同学们阅 读时注意!
第H大部分:下篇
一、客观题(选择题)单项选择题部分:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填
入括号内
(一)、二极管三极管
1、17、 电路如图所示,二极管D、D2为理想元件,则在电路 中()。
(a) D !起箝位作用,D2起隔离作用
(b) D 1起隔离作用,0起箝位作用
(a) 12V(b) 0V(c)—
(a) 12V
(b) 0V
(c)
—15V
(c) D 1、D2均起箝位作用 (d) D i、D2均起隔离作用
2、45、
电路如图所示,二极管
D1,D2,D3 均为理想元件,
则输出电压
Uo=(
)。
(a) 0V
(b)
—6V (c)
—18V
3、51、电
路如图所示,二极
管D1, D2均为理想元
件,则电压UaO=
()
TOC \o "1-5" \h \z 4、 33、电路如 图所示,二极管为理想元件,Ui=6sin「t V, U=3V, 当「t =_瞬间,输出电压uo等于( )。
0 V (b) 6 V (c) 3 V
5、 35、电路如图所示,D为理想 二 极管,q = 6sin ,t V,则输出电压的最大 彳值 UOM ― ( )o
6 V (b) 3 V (c) ?3 V
6、 37、电路如图所示,二极管D为理想元件,当输入信号
ui =12si n?tV时,输出电压的最大值为( )。
12 V (b) -6 V (c) 0 V (d) 6 V
7、 49、电路如图所示, D,D2均为理想二极管, 当输入电压Ui > 6V时,则
UO= ( ) o
6V (b) 3V (c) Ui
8 53、电路如图所示,Di,D2均为理想二极管,设U1 = 10 V,
Ui = 40 sin 31V 则输出电压Uo应为()。
最大值为40V,最小值为0V
最大值为40V,最小值为+10V
最大值为10V,最小值为—40V
最大值为10V,最小值为0V
9、 55、 电 路 如 图 所 示, 若 忽 略 二 极 管 D 的 正 向 压 降 和 正 向 电 阻,则 输 出 电 压 uO 为 ( )。
+12V (b) +6V (c) +2V
10、57、 电路如图所示,D为硅二极管,根据所给出的电路
TOC \o "1-5" \h \z 参 数 判 断 该 管 为 ( ) 。
(a)
正偏
(b)
反 偏
(c)
零偏
11、 71、 晶体管处于截止
状
态 时, 集
电 结 和 发 射 结 的
偏置情况
为(
)。
(a)
发 射 结 反 偏,集
电
结正偏
(b) 发 射 结、集
电 结 均 反
偏
(c)
发 射 结、集 电 结
均
正偏
(d) 发 射 结 正
偏,集 电 结
反偏
TOC \o "1-5" \h \z 12、 73、已 知 某 晶 体 管 处 于 放 大 状 态, 测 得 其 三 个 极 的 电 位分别为6V、9V和6.3V,则6V所对应的电极为( )。
发 射 极 (b) 集 电 极 (c) 基
极
13、 77、 当晶体管的集电极电流 I C 超过其最大允许值 ICM 时, 其 后 果 为
(a) 晶 体 管 一 定 损 坏
(
( 0
(
( 0
(b) 不一定损坏、但[要下降
(c) 不一定损坏、但r-要升高
TOC \o "1-5" \h \z 14、87、在计算低频小功率晶体管输入电阻rbe时,有三位 同学用了三种方法,而且计算结果差别很大,请指出正确的 表达式是 ( )。
Ube
.Uce
―26mV
(a) r be
=,BE (b)
rbe =
(c)
r be 300 _:十
Ib
丄1 B
lBmA
15、 89、
所谓晶
体管
输出
特性
曲线中的线性
区域
是指
(
)。
(a)放
大区
(b)
饱和
区
(c)
截止
区
TOC \o "1-5" \h \z 16、 91、 如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路,
则( )。
(a)管子深度饱和 (b) 管子截止 (c) 管子工作在放
大状态
17、 93、根据图中已标出各晶体管电极的电位,判断处于
饱和状态的晶体管是( )。
18、 95、工作在饱和状态的 PNP型晶体管,其三个极的电位应为
(a) V
(a) VE >VB, VC >vb, VE >Vc
(a) V
(a) VE >VB, VC >vb, VE >Vc
TOC \o "1-5" \h \z VE >VB, V< VB, Ve >VC
(C) VB >VE, vb< VC, ve >VC
19、 97、某工作在放大状态的晶体管,测出其三个极X, Y, Z
的 电位分 别为:VX = -9V, V
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