国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.docVIP

PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（预审稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速度等独特的物理与电学特性，特别适合制备高电压、高功率、高频和高温半导体电子器件，在微波通讯、雷达、电力电子等领域具有广阔的应用前景，对国民经济和国防建设具有重要意义。进入90年代，美国国防部、能源部都把碳化硅集成电路列为重点项目，支持碳化硅项目的机构包括美国陆军研究所、美国空军科学研究办公室（AFOSR）、美国国防部先进研究项目局（DARPA）、美国能源部高级项目研究局（ARPA-E）等；日本几乎是全民研发碳化硅的典型国家，日本先进科学和技术创新研发资助计划（FIRST计划）和NEXT计划（Next Generation World-Leading Researchers）等从碳化硅单晶材料、外延生长、器件设计等各方面支持碳化硅大功率器件的研发工作，极大的推动了碳化硅宽禁带半导体材料与应用的发展。 鉴于碳化硅材料重要的战略地位，在我国也受到极大的关注，国家在碳化硅材料科研及产品产业化都投入了非常大的力量，近两年在国家重点研发计划项目中都布局了碳化硅专项。已经形成碳化硅材料产品规范GB/T 30656-2014《碳化硅单晶抛光片》，以及系列的测试方