微电子技术学科前沿-FinFET-SiGe.pptVIP

微电子技术前沿— 微电子中的人类智慧; 能攻心则侧反自消,自古知兵非好战 不审势则宽严皆误,后来治蜀要深思 本课尝试： 1. 介绍有关微电子技术的更广泛的知识 2. 介绍一些重要器件与电路发明的思路 希望大家不仅仅是从专业上理解本课内容 ; Fin-FET Background; Fin-FET Background; Gate can’t control the leakage current paths that are far from the gate;Introduction to Double-Gate;Double-Gate MOSFET Structure options;Double‐Gate vs. Tri‐Gate FET;Double‐Gate vs. Tri‐Gate FET;Fin-FET Structure Evolution;Intel Tri-Gate Transistor;Intel Tri-Gate Transistor;; 微电子中的人类智慧;SiGe源漏区MOSFET带来的器件性能改善;窄禁带异质源漏区MOSFET的寄生BJT的发射极为异质结，其异质结的β与同质结β的关系为： ;2.消除寄生BJT对MOS器件耐压的影响 ; SiGe发射区HBT的应用 1). SiGe源区功率MOS/IGBT 2). SiGe源区CMOS 3). SiGe阳极LIGBT 4). SiGe快恢复二极管;HBT Heterojunction Bipolar Transistor;HBT的背景;HBT的背景;半导体异质结;基区材料要禁带较宽的半导体做发射区;异质结能带图;双极型晶体管; 如果想↑f，需↓Wb，而Wb ↓?穿通电压↓和厄利电压↓。 如果想↑ β,需↑Ne和 ↓Nb； ↓Nb与↓ Wb有同样问题，↑Ne受禁带变窄效应限制。 HBT可解决上述矛盾。注入效率足够高? Wb ↓而不穿通?f ↑。 ;用异质结改进BJT;即使基区掺杂浓度NB比发射区杂质浓度NE高得多，指数因子仍然可以使HBT具有足够的电流放大倍数。高的基区掺杂还有利于减小基区方块电阻；同时，通过降低基区厚度，还可降低基区渡越时间。 如果在基区通过浓度的缓变，基区将会形成能带弯曲，产生新的梯度场，这样发射区注入的电子在基区不仅有扩散速度，而且具有基区梯度场所引起的漂移速度，从而大大的加快了电子的输送速度，也就使得β达到一个更大的值。; 通过使用HBT尽管得到近似于BJT基极一样的电流，但集电极电流由于窄带隙的作用增大了很多倍。相应的模拟参数厄利电压（VA）也得到了大幅度地提高，从而导致βVA模拟参数迅速增加。至于频率特性，由于异质结的作用而导致基区转移时间以及发射区转移时间的下降，所??即使在很低的基极电流下也可以得到很高的截止频率（fT）。最大振荡频率（fM）与集电极、基极电容（Cjb）以及基区电阻有关，为了提高最大振荡频率，集电极、基极电容可以通过适当的集电极掺杂和减少发射区的宽度（典型的低于1μm）, 基区电阻降低可以通过自对准工艺来实现。 ;异质结双级晶体管的结构特点　;ＨＢＴ结构图解;SiGeHBT水平结构图;GaSeHBT结构图;(2) LDMOS – LIGBT – 阳极短路  LIGBT–SINFET-- SiGe阳极LIGBT ;n沟道SINFET截面图;锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管（续）;窄禁带异质SiGe源区IGHBT;阳极短路IGHBT