第五章 污染控制.pptxVIP

第五章 污染控制; 经验告诉我们，微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10。（就是说直径为0.03微米的微粒将会损坏0.3微米线宽大小的特征图形。）否则会造成器件功能的致命伤害。;金属离子 无论是单晶制造还是工艺过程中人为掺杂，在引入有用杂质的同时也不可避免地引入一些其他有害的杂质，特别是金属杂质。并且是以离子形式出现的而且是移动的。当这些移动的离子超过一定数量时，同样会引起器件的失效。因此，这些可移动的离子必须控制在一定范围内。 除此之外，钠也是最常见的可移动离子污染物，而且移动性最强，因此，对钠的控制也成为芯片生产的首要目标。 可移动污染物问题特别是对MOS器件影响更为明显，因为MOS器件是表面电荷控制器件。;化学品 器件生产过程中化学品的应用是不可避免的，有些化学品将导致晶片表面受到不必要的刻蚀，或者生成无法除去的化合物等，氯就是其中之一的污染物，所以，工艺过程中用到的化学品氯的含量必须受到严格控制。 细菌 主要来源于水中，是一种生成物。细菌一旦形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望的金属离子。 污染的影响 器件工艺的良品率 器件性能 器件的可靠性;5.3 污染源 下面将讨论对器件生产中产生影响的各类污染的来源、性质及其控制。从LSI出现以来，污染控制就突现出来它的重要性