电工与电子技术61三极管.ppt

单元61　三极管 单元61　三极管 一. 三极管的结构 在制造时，根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区，并形成两个PN结，就构成三极管。当采用平面工艺时，三极管具有的结构特点如图。 B E P型硅 N型硅 二氧化硅保护膜 N型硅 C 几百微米 几微米 NPN型硅管的结构 晶体三极管中有两种不同极性电荷的载流子参与导电，因此称为双极型三极管，简称BJT。 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B N N C E B P C E T B NPN型三极管的结构示意图和符号 三极管制造工艺的特点是基区很薄而且杂质掺浓度很低，发射区掺杂浓度很高，集电区面积很大。符号中箭头的方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。 一. 三极管的结构 C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B B E C P P N E T C B PNP型三极管的结构示意图和符号 一. 三极管的结构 实际中，NPN管多用硅制造，具有比较好的温度特性，应用较多，而PNP管多用锗制造，使用较少。 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 1.三极管处于放大状态的工作条件 放大是对模拟信号最基本的处理。在实际生产中，从传感器获得的电信号都很微弱，只有经过放大之后才能作进一步的处理，或者使之具有足够的能量来推动执行机构。 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 RP 可以把三极管接成两个电路：基极电路和集电极电路，此时发射极是公共端，这种接法称为共射极接法。 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 1.三极管处于放大状态的工作条件 为使三极管有放大作用，还必须具备适当的外部条件，即发射结正偏、集电结反偏。 B E C N N P EB RB EC RC 对于NPN管要求 发射结正偏 VB>VE 集电结反偏 VC>VB 对于PNP管要求 发射结正偏 VB<VE 集电结反偏 VC<VB 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 2.各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 RP 三极管电流放大的实验电路 设EC=6V，改变可变电阻RP, 则基极电流IB、集电极电流IC 和发射极电流IE都发生变化，测量结果如表： 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 2.各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.70 1.50 2.30 3.10 3.90 0.72 1.54 2.36 3.18 4.00 三极管电流测量数据 (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化，即为三极管的电流放大作用。 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 3.三极管内部载流子的运动规律 IC IB B E C N N P EB RB EC IE ICE 载流子运动 (1)发射区向基区扩散电子 对NPN型管，发射区自由电子浓度大，而基区自由电子浓度小，所以自由电子将从发射区向基区扩散。由于发射结处于正向偏置，发射区自由电子的扩散运动加强，不断扩散到基区，并从电源补充电子，形成发射极电流IE。基区空穴向发射区扩散形成的空穴电流很小，忽略不计。 ICBO 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 3.三极管内部载流子的运动规律 IC IB B E C N N P EB RB EC IE ICE 载流子运动 (2)电子在基区扩散和复合 从发射区扩散到基区的自由电子将向集电结方向继续扩散，这个过程中，自由电子不断与基区中的空穴复合。电源EB不断补充被复合掉的空穴，形成电流IBE，基本上等于基极电流IB。基区很薄，掺杂浓度低，减少电子与空穴复合的机会，使绝大部分自由电子能扩散到集电结边缘。 ICBO 二. 三极管三个电极电流分配与电流放大作用 3.三极管内部载流子的运动规律 IC IB B E C N N P EB RB EC IE ICE 载流子运动 (3)集电区收集电子 由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并达到集电区边缘的自由电子拉入集电区，从而形成电流ICE，基本上等于集电极电流IC。同