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ICS 27.160
F 12
DB61
陕 西 省 地 方 标 准
DB 61/ T 511—2011
太阳电池用单晶硅棒检验规则
2011 - 04 - 20 发布 2011 - 05 - 01 实施
陕西省质量技术监督局 发 布
DB61/ T 511—2011
前 言
本标准参考GB/T 12962-2005《硅单晶》,结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。
本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。
本标准由陕西省工业和信息化厅归口。
本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。
本标准主要起草人:牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、张超。
本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。
本标准为首次发布。
I
DB61/ T 511—2011
太阳电池用单晶硅棒检验规则
范围
本标准规定了太阳电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。
本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验。
规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 12963 硅多晶
SEMI MF 1535-2007 微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法
术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
单晶硅圆棒 mono-crystalline silicon round-stick
未经任何机械加工的原始单晶硅棒。
3.2
单晶硅方棒 mono-crystalline silicon square-stick
单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过切断、切方、滚圆加工后的方锭。
技术要求
4.1 原材料
产品用原材料应符合GB/T 12963的规定。
1
DB61/ T 511—2011
4.2 外观要求
4.2.1 单晶硅圆棒
单晶硅圆棒表面应光滑,无缺口、裂纹、划痕。
4.2.2 单晶硅方棒
单晶硅方棒断面应无刀痕、无长度和宽度超过5 mm、深度超过1.5 mm的缺口。
4.3 外形尺寸
4.3.1 单晶硅圆棒
单晶硅圆棒的长度由供需双方协商,直径及偏差见表1。
表1
单晶硅圆棒直径及偏差
规 格
6″
6.5″
8″
直径及偏差
153
﹢5
168
﹢5
203
﹢5
/mm
0
0
0
注:直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。
4.3.2 单晶硅方棒
单晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图1、表2的规定。
图1 单晶硅方棒的断面物理尺寸
表2 单晶硅方棒的断面物理尺寸(字母对应图 1 所示)
单位为毫米
规 格
A(边长)
B(标称直径)
C(弦长)a
D(倒角投影)a
E(相邻面垂直度)
断面几何垂直度
6″
125±0.3
150±0.3
82.9±1
21.05±1
6.5″
125±0.3
165±0.3
107.7±1
8.66±1
90°±0.3°
90°±0.5°
8″
156±0.3
200±0.3
125.1±1
15.43±1
注1:标称直经是指单晶硅方棒的直径。
注2:直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。
a 为参考尺寸
2
DB61/ T 511—2011
4.4 电性能
单晶硅棒导电类型、晶向及偏离度、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命的要求应符合表3。
表3 单晶硅棒电性能参数
导电类型
晶向及偏离度
电阻率/(Ω ·cm)
径向电阻率变化/%
少数载流子寿命/μ s
P
100±1°
一档
二档
≤15
≥5
0.5~1
1~3
N
100±1°
1.5~20
≤20
50~100
注:本表中少数载流子寿命值是未经过钝化的测试值。
4.5 晶体完整性
单晶硅棒晶体完整性是由晶体位错密度指标所反应,其位错密度应不大于3000个/平方厘米。 4.6 氧含量
单晶硅棒的氧含量应不大于1.2×1018 atom/cm3。
单晶硅棒的碳含量应不大于5×1016 atom/cm3。
试验方法
5.1 原材料
单晶硅棒原材料测试按GB/T 12963规定的方法进行。
5.2 外观要求
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