晶体电光效应演示教学.docx

晶体电光效应 晶体的电光效应 KDP 晶体线性电光效应 KDP 晶体的应用 1晶体的电光效应 因为晶体折射率的各向异性与组成晶体的原子或分子的排列方式及相互作 用的特点有关，因此，外界作用可以改变他们的排列方式（例如压力下的形 变）或相互作用的状况（例如电场使原子极化），导致晶体光学性质产生相应 的变化。 人工双折射就是指光学介质受到人为施加的外力或外场作用而产生的偏振 和双折射现象。 人工双折射可以根据人们的意愿加以控制。例如将一块受到电场作用的晶 体放在两块偏振器之间，人们就可以通过改变电场的大小或方向而有效的控制 出射光束的强度、方向和偏振态等，达到电光调制、偏转、调 Q等目的。 1.1电光效应基本原理 在各向异性晶体中，介电常数是随作用在介质上的电场强度而变化的，尤 其在强场作用下这种变化就更加明显，光波在其中的传播规律也要改变。 对于无对称中心的晶体，外加电场沿一个主轴方向作用于晶体上，感生电 位移矢量D和外加电场E的方向一致，大小关系可表示为： 0E 0E E2 以D（E）曲线的切线斜率定义介电常数，上式可写为: dDdE3 dD dE 3 E2 显然，折射率随外加电场而变化（如下图）。我们把介质由于外加电场作用而 引起的折射率变化的现象称为电光效应。 日 rctger 日 rctger 为了定量的描述电场引起的折射率变化，上式写为 n0 2 E 3 E2 1/2 彳2匚3匚2no 1 2 E 2 E n。 n。 利用公式1 xm 利用公式1 xm 1 mx （当 x 0），上式可简化为: n0 —E —2 no 2n° 令：a/n°,b 3 /2n。， 令：a n-n0 aE bE2 此外，不仅电场能够引起介质折射率变化，而且外力也能引起介质的折射 率变化。沿晶体主轴方向作用单向压力，参照上述分析方法，折射率因应力而 产生的变化，可表示为： n -n0 a 其中 表示应力。由于应力产生的折射率变化成为弹光效应。 当介质上作用一外电场时，除了由于介电常数的变化引起折射率的变化 外，电场还通过反压电效应作用，使介质产生应变，这种应变通过弹光效应引 起折射率变化。为了区别这两种折射率变化，我们把由外加电场通过介电常数 引起的折射率变化称为初级电光效应，而把由外加电场通过反压电效应引起的 折射率变化称为次级电光效应。 因此，外加电场对介质所产生的折射率变化为两种效应之和: n-n0 aE a bE2 b 2 任意方向外加电场对于晶体折射率的影响，可以用折射率椭球的改变来描 述。 折射率椭球的一般形式为: 1 2厂X1山11 2厂X 1 2 厂X1山1 1 2 厂X2n22 1 2 厂X3 n33 2^X1 X2 n12 2 亠 X1X3 n13 1 2~^ X2X3 1 n23 引入逆介电张量Bij ，并定义: Bij ij nij 折射率椭球可表示为: B11X B12X B11X B12X1X2 B13X1X3 B21X2X1 B22X2 B23X2X3 B31X3为 B32X3X2 B33X3 1 即：BjXXj 1( i , j = 1,2, 3 在主轴坐标系中，无外加电场晶体的折射率椭球为: b?x2 b0x2 Bsx! 1 电场作用后，折射率椭球记为: 其中 B E hEE 式中第一项引起的折射率变化称为线性电光效应（普克尔效应），第二项引起 的折射率变化称为次级电光效应，第三项引起的折射率变化称为二次电光效应 （克尔效应）。 1.2 晶体的线性电光系数 对于无对称中心的晶体，线性电光系数要比二次电光系数高数个量级，因 此晶体受外场作用后通常只考虑一次项： BE 不考虑次级电光效应，则： Bij ijk Ek （i ，j ，k=1, 2, 3 ） 从上式看出，在给定 E 的前提下，如果已知晶体的电光系数，即可求出晶体受 到外电场作用后折射率的变化情况。 对于初级线性电光效应，下标简化后为： Bn nkEk （n=1,2,…，6; k=1,2,3,） 写成矩阵形式即： 13 23 E1 33 33 E 2 43 E E3 53 63 B1B2B B1 B2 B3 B4 B5 B6 21 22 31 32 41 42 51 52 61 62 2 KDP 晶体线性电光效应 KDP晶体是人生长的磷酸二氢钾单晶体的简称 ，属四方晶系，为负单轴晶 体。其折射率椭球如图： 四k晶* —4 f)<—42 2 0 0 0 0 0 0 口 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 <■ 治 1) _切 0 兀 C 0 一岭］ 0 0 0 一％ 0 ? 0 C 0 <4) 0 .0 0 0」 D*—4mm D — r 3 0 0 0 甘 0 0 0 0 0 0 0 U 0 0 0 斷 D D Ai u